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龙图腾网恭喜东北大学申请的专利材料发射率的测量系统及材料发射率的确定方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117990214B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410169935.6，技术领域涉及：G01J5/00；该发明授权材料发射率的测量系统及材料发射率的确定方法是由张玖;岳峰;兰旭;梅国晖设计研发完成，并于2024-02-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本材料发射率的测量系统及材料发射率的确定方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种材料发射率的测量系统及材料发射率的确定方法，涉及发射率测量与辐射测温技术领域，解决目前存在由于使用热电偶对样品温度测量会改变样品表面的温度，基于测得的温度得到的材料发射率存在准确性较低的问题。该测量系统包括：上位机、温度控制装置及测温仪，上位机与温度控制装置连接、测温仪连接，控制温度控制装置将待测试样品、黑体炉升温至设定温度，控制测温仪测量遮挡管到达不同位置时待测试样品表面的第一温度、第二温度、第三温度以及第四温度，上位机根据第一温度、第二温度、第三温度和第四温度确定待测试样品的目标材料发射率。

本发明授权材料发射率的测量系统及材料发射率的确定方法在权利要求书中公布了：1.一种材料发射率的测量系统，其特征在于，包括：上位机、温度控制装置及测温仪；还包括：遮挡管和滑动导轨；所述遮挡管设置于所述滑动导轨上的目标位置，其中，设置于所述目标位置的所述遮挡管处于所述黑体炉外，且设置于所述目标位置的所述遮挡管未遮挡所述黑体炉对待测试样品的反射辐射；所述上位机与所述温度控制装置连接，用于控制所述温度控制装置将待测试样品和黑体炉加热至设定温度，其中，所述待测试样品设置于所述黑体炉内腔的预设位置；所述上位机与所述测温仪、所述滑动导轨连接，所述上位机用于在确定所述温度控制装置将所述黑体炉和所述待测试样品加热至所述设定温度时，控制所述滑动导轨将设置于所述目标位置的所述遮挡管下降至所述黑体炉内腔的底部，以使所述遮挡管遮住所述黑体炉对所述待测试样品的反射辐射，并控制所述测温仪测量在所述遮挡管开始下降时所述待测试样品表面的第一温度、在所述遮挡管下降至所述黑体炉内腔的底部且遮挡所述黑体炉对所述待测试样品的反射辐射时所述待测试样品表面的第二温度；所述上位机还用于控制所述滑动导轨将所述遮挡管从所述黑体炉内腔的底部上升，直至所述遮挡管达到所述目标位置，并控制所述测温仪测量在所述遮挡管开始上升时所述待测试样品表面的第三温度以及在所述遮挡管离开所述黑体炉内腔时所述待测试样品表面的第四温度；所述上位机用于根据所述第一温度、所述第二温度、所述第三温度和所述第四温度确定所述待测试样品的目标材料发射率；其中，根据所述第一温度、所述第二温度、所述第三温度和所述第四温度确定所述待测试样品的目标材料发射率包括：确定第一固有辐射能量与第一黑体辐射能量、第一材料发射率之间的第一关系，以及确定第二固有辐射能量与第二黑体辐射能量、第二材料发射率之间的第二关系；确定ΔT1＝ΔT2＝ΔT，以及确定ε1＝ε2＝ε，ΔT1为所述遮挡管在下降过程中所述待测样品表面的温降，ΔT2为所述遮挡管在上升过程所述待测样品表面的温升，ΔT为目标温度变化，ε1为所述第一材料发射率，ε2为所述第二材料发射率，ε为目标材料发射率，并将所述目标温度变化和所述目标材料发射率分别代入所述第一关系和所述第二关系；基于所述第一关系和所述第二关系确定所述目标材料发射率；所述第一固有辐射能量是与所述第二温度、温降相关的，所述第一黑体辐射能量是与所述第一温度相关的，所述第二固有辐射能量是与所述第三温度、温升相关的，所述第二黑体辐射能量是与所述第四温度相关的；所述第一关系为：LbT1+ΔT1，λ＝ε1LbT0，λ，其中，T0为所述第一温度，T1为所述第二温度，λ为预设波长，LbT0，λ为所述第一黑体辐射能量，LbT1+ΔT1，λ为所述第一固有辐射能量；所述第二关系为：LbT2-ΔT2，λ＝ε2LbT3，λ，其中，T2为所述第三温度，T3为所述第四温度，LbT3，λ为所述第二黑体辐射能量，LbT2-ΔT2，λ为所述第二固有辐射能量。

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