恭喜中山大学罗志勇获国家专利权
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龙图腾网恭喜中山大学申请的专利硅基集成间隙波导色散和特性阻抗的计算方法、太赫兹电路设计方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117933161B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410022387.4，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权硅基集成间隙波导色散和特性阻抗的计算方法、太赫兹电路设计方法及系统是由罗志勇;侯达设计研发完成，并于2024-01-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本硅基集成间隙波导色散和特性阻抗的计算方法、太赫兹电路设计方法及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及无线通信技术领域，为硅基集成间隙波导色散和特性阻抗的计算方法、太赫兹电路设计方法及系统，计算方法基于硅基集成间隙波导SiliconSubstrateIntegratedGapWaveguide，SSIGW模型，采用等效电路法研究了硅基电磁带隙结构的等离子体波数，采用横向谐振法求解SSIGW的y方向的传播常数，采用模式匹配法求解SSIGW色散方程；结合场分布和阻抗的定义求解SSIGW特征阻抗的闭合表达式。本发明能够保证准确度的同时实现快速确定SSIGW工作频段和带线宽度，提高基于SSIGW的太赫兹器件设计效率。
本发明授权硅基集成间隙波导色散和特性阻抗的计算方法、太赫兹电路设计方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种硅基集成间隙波导色散和特性阻抗的计算方法，其特征在于，所述计算方法基于SSIGW模型，SSIGW模型包括硅基电磁带隙结构阵列和蚀刻在硅基电磁带隙结构阵列上用于传输电磁波的带线；所述计算方法包括如下步骤：建立硅基电磁带隙结构阵列的等效电路模型，通过应用电路理论和各向异性介质理论，推导计算硅基电磁带隙结构阵列的等离子体波数；结合所述等离子体波数，分析硅基电磁带隙结构阵列的反射特性，根据边界条件推导出横电TE和横磁TM波入射时的反射系数，采用横向谐振法推导计算出SSIGW的y方向传播常数；结合y方向传播常数，分析SSIGW不同区域的场分布，通过麦克斯韦方程组推导出场分布表达式；根据边界条件和模式匹配法推导出SSIGW的z方向传播常数，即计算硅基集成间隙波导色散；根据所述场分布表达式，并结合特性阻抗定义式，推导计算出SSIGW中带线的特性阻抗闭合表达式。
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