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龙图腾网恭喜东南大学申请的专利一种太赫兹频段低损耗高集成度的芯片波导转接结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116190960B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310316308.6，技术领域涉及：H01P5/107；该发明授权一种太赫兹频段低损耗高集成度的芯片波导转接结构是由郝张成;谢峰;缪卓伟设计研发完成，并于2023-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种太赫兹频段低损耗高集成度的芯片波导转接结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种太赫兹频段低损耗高集成度的芯片波导转接结构，包括水平放置的SiGe发射机芯片以及与SiGe发射机芯片垂直连接的阶梯式波导；所述的SiGe发射机芯片包括片上折叠偶极子天线、连接SiGe发射机的有源电路输出焊盘与片上折叠偶极子天线的一分二功率分配器、连接片上折叠偶极子天线与条状贴片的金属过孔；位于片上折叠偶极子天线下方Si介质中的局部背面蚀刻腔体、位于一分二功率分配器下方的日字型折线环；所述的阶梯式波导包括一个矩形波导和其上方的WR4标准波导接口。本发明的结构实现了片上折叠偶极子天线在太赫兹频段内的高增益和高辐射效率性能，阶梯式波导结构简单，机械强度好，装配误差小，可直接与太赫兹波导系统集成。

本发明授权一种太赫兹频段低损耗高集成度的芯片波导转接结构在权利要求书中公布了：1.一种太赫兹频段低损耗高集成度的芯片波导转接结构，其特征在于，所述的芯片波导转接结构包括水平放置的SiGe发射机芯片（1）、位于SiGe发射机芯片（1）正上方与其垂直连接的阶梯式波导（2）、环绕SiGe发射机芯片（1）的PCB馈电网络介质基板（3）、位于PCB馈电网络介质基板（3）下方水平放置的金属底座（4）；所述SiGe发射机芯片（1）包括水平放置的SiO2介质（5）、位于SiO2介质（5）下方水平放置的Si介质（6）以及包裹SiGe发射机芯片（1）的金属保护环（7）；所述SiO2介质（5）内包含水平放置的七层金属和金属过孔（8），第一层金属（5.1）包括片上折叠偶极子天线（5.2）、一分二功率分配器（5.3）、环绕片上折叠偶极子天线（5.2）的第一层开口折线环（5.4）、有源电路输出焊盘（5.5），位于第一层金属（5.1）下方的第二层金属（5.6）包括第二层开口折线环（5.7），位于第二层金属（5.6）下方的第三层金属（5.8）包括第三层开口折线环（5.9），位于第三层金属（5.8）下方的第四层金属（5.10）包括第四层开口折线环（5.11），位于第四层金属（5.10）下方的第五层金属（5.12）包括第五层开口折线环（5.13），位于第五层金属（5.12）下方的第六层金属（5.14）包括第六层开口折线环（5.15），位于第六层金属（5.14）下方的第七层金属（5.16）包括日字型折线环（5.17）和条形贴片（5.18）；位于日字型折线环（5.17）开口区域（5.19）下方的Si介质（6）中包括局部背面蚀刻腔体（6.1）。

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