恭喜南京邮电大学孙华斌获国家专利权
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龙图腾网恭喜南京邮电大学申请的专利一种由垂直有机晶体管构成的反相器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116322071B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310214218.6，技术领域涉及：H10K19/10；该发明授权一种由垂直有机晶体管构成的反相器是由孙华斌;于晓辰;许智奇;李长青;徐勇;吴洁;于志浩;陈子龙设计研发完成，并于2023-03-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种由垂直有机晶体管构成的反相器在说明书摘要公布了：本发明属于半导体器件物理领域，公开了一种由垂直有机晶体管构成的反相器，该反相器包括串联的垂直结构的PMOS和垂直结构的NMOS，垂直结构的PMOS包括衬底、底栅、栅氧化层、在栅氧化层表面的graphene、在graphene上层的有机半导体层DPPT‑TT+N2200和蒸镀的源极和漏极Au，垂直结构的NMOS包括衬底、底栅、栅氧化层、在栅氧化层表面的graphene、在graphene上层的有机半导体层N2200+DPPT‑TT和蒸镀的源极和漏极Au，DPPT‑TT+N2200和N2200+DPPT‑TT通过提拉方式形成膜。本发明相比于传统水平结构的反相器，有更低的工作电压。
本发明授权一种由垂直有机晶体管构成的反相器在权利要求书中公布了：1.一种由垂直有机晶体管构成的反相器，其特征在于：所述反相器包括垂直结构的PMOS和垂直结构的NMOS，所述垂直结构的PMOS和所述垂直结构的NMOS串联，其中，所述垂直结构的PMOS包括衬底、底栅、栅氧化层、在栅氧化层表面的graphene、在graphene上层的有机半导体层DPPT-TT+N2200和蒸镀的源极和漏极Au；所述垂直结构的NMOS包括衬底、底栅、栅氧化层、在栅氧化层表面的graphene、在graphene上层的有机半导体层N2200+DPPT-TT和蒸镀的源极和漏极Au。
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