恭喜南京邮电大学胥清绪获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜南京邮电大学申请的专利一种基于二维材料异质结的忆阻器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115988954B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211671817.2，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种基于二维材料异质结的忆阻器及其制作方法是由胥清绪;邢瑜;周双;董帅;普勇;王海云设计研发完成，并于2022-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于二维材料异质结的忆阻器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明属于电子存储器技术领域，具体提供了一种基于二维材料异质结的忆阻器及其制作方法，所述忆阻器由下往上依次由衬底、金属电极、二维材料异质结构成；器件的开关比高达103，耐久性超过600圈的循环圈数；本发明提供的基于二维材料异质结的忆阻器可用来模拟人工突触。
本发明授权一种基于二维材料异质结的忆阻器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种基于二维材料异质结的忆阻器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：在洁净的衬底上制作图案化的金属电极；在真空或惰性气体氛围下将WO2Cl2块材采用机械剥离法在聚二甲基硅氧烷PDMS上制成二维WO2Cl2薄片，然后将PDMS上的二维WO2Cl2薄片压在衬底的电极上，形成二维WO2Cl2薄片电极衬底复合层结构；所述WO2Cl2块材由WCl6和WO3在温度梯度为280-350℃下、使用化学气相输运法制备而成；在真空或惰性气体氛围下将六方氮化硼块材采用机械剥离法在PDMS上制成二维六方氮化硼hBN薄片，然后将PDMS上的二维六方氮化硼薄片压在所述二维WO2Cl2薄片电极衬底复合层结构上，此时所述二维六方氮化硼薄片与所述WO2Cl2薄片形成了异质结，制备的器件为异质结电极衬底复合层结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南京邮电大学，其通讯地址为：210046 江苏省南京市栖霞区文苑路9号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号