恭喜陕西科技大学朱媛媛获国家专利权
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龙图腾网恭喜陕西科技大学申请的专利一种基于双忆阻器的可变电阻电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116092763B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211493747.6,技术领域涉及:H01C10/00;该发明授权一种基于双忆阻器的可变电阻电路是由朱媛媛;王红军;黄佳霖;李治国设计研发完成,并于2022-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于双忆阻器的可变电阻电路在说明书摘要公布了:本发明公开了一种基于双忆阻器的可变电阻电路,属于可变电阻器技术领域。包括控制信号输入电路、阻值调节电路以及阻值输出电路;控制信号输入电路与阻值调节电路连接,用于将控制信号输入阻值调节电路,实现对阻值调节电路实现阻值的调节,阻值调节电路的输出与阻值输出电路连接以实现阻值的输出。本发明制备的器件尺寸极小,适合大规模集成;与CMOS工艺兼容,电路的设计简单易行,大大提高利用率、可复制性、可创新性。通过计算机控制的可变负载,更加灵活可控、稳定高效,实现了对电路的多场景控制。
本发明授权一种基于双忆阻器的可变电阻电路在权利要求书中公布了:1.一种基于双忆阻器的可变电阻电路,其特征在于,包括控制信号输入电路(1)、阻值调节电路(2)、阻值输出电路(3);控制信号输入电路(1)与阻值调节电路(2)连接,用于将控制信号输入阻值调节电路(2),实现对忆阻器元件阻值调节;所述阻值调节电路(2)由两个并联的忆阻器调控单元组成;阻值调节电路(2)与阻值输出电路(3)连接,实现阻值输出;所述阻值调节电路(2)中,每个忆阻器调控单元包括MOS管和二极管,实现与第一输入端子(6)、第二输入端子(7)、Control控制端子(4)以及地线端子(5)的连接;所述阻值调节电路(2)中的两个并联的忆阻器调控单元包含左右两侧并联的两条支路;左侧的支路包括第一二极管(12)、第二二极管(13)、第五N型MOS管(18)、第六N型MOS管(19)和第一忆阻器元件(20);右侧的支路包括第三二极管(14)、第四二极管(15)、第三N型MOS管(16)、第四N型MOS管(17)和第二忆阻器元件(21);第一输入端子(6)分成两路,一路连接在第一N型MOS管(8)的源极,并将第一N型MOS管(8)的漏极接入第一二极管(12)的正极;第一二极管(12)的负极与第五N型MOS管(18)的栅极、第一忆阻器元件(20)的一端以及第六N型MOS管(19)的漏极连接;第二输入端子(7)分成两路,一路连接在第二N型MOS管(9)的源极,并将第二N型MOS管(9)的漏极连接第二二极管(13)的正极;第二二极管(13)的负极与第六N型MOS管(19)的栅极、第一忆阻器元件(20)的另一端以及第五N型MOS管(18)的漏极连接;第一输入端子(6)分成的两路中异于接入第一调控单元的一路连接第一P型MOS管(10)的源极,并将第一P型MOS管(10)的漏极连接第三二极管(14)的正极;第三二极管(14)的负极与第三N型MOS管(16)的栅极、第二忆阻器元件(21)的一端以及第四N型MOS管(17)的漏极连接;第二输入端子(7)分成的两路中异于接入第一调控单元的一路连接第二P型MOS管(11)的源极,并将第二P型MOS管(11)的漏极连接第四二极管(15)的正极;第四二极管(15)的负极与第四N型MOS管(17)的栅极、第二忆阻器元件(21)的另一端以及第三N型MOS管(16)的漏极连接。
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