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龙图腾网恭喜上海交通大学申请的专利一种二维过渡金属硫族化合物及其制备和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115537920B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211345215.8，技术领域涉及：C30B25/18；该发明授权一种二维过渡金属硫族化合物及其制备和应用是由胡志宇;张帅;吴振华;罗思远;刘泽昆;刘妍;施慧烈;傅理夫设计研发完成，并于2022-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种二维过渡金属硫族化合物及其制备和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种二维过渡金属硫族化合物及其制备和应用，利用硫族单质和过渡金属单质作为靶源，通过分子束外延技术，结合分步蒸发和后蒸发的策略，在衬底上进行气相沉积，从而得到高质量，大尺寸的二维过渡金属硫族化合物薄膜材料。与现有技术相比，本发明制备得到的薄膜形貌为少层平面结构、多层纳米棒结构或者多层纳米管结构，整个方法简单，高效，产物质量高，在高性能微纳器件、场效应晶体管、光电探测和集成电路等领域有着巨大的应用前景。

本发明授权一种二维过渡金属硫族化合物及其制备和应用在权利要求书中公布了：1.一种二维过渡金属硫族化合物的制备方法，其特征在于，所述二维过渡金属硫族化合物用于可见光-太赫兹的超宽谱高效探测的光电探测器领域中；所述二维过渡金属硫族化合物为硒化钯，呈多层纳米棒结构或者多层纳米管结构；所述二维过渡金属硫族化合物的制备方法包括以下步骤：选用三寸硅片作为衬底，并用氢氟酸，丙酮，去离子水洗去衬底表面污渍，将衬底在100℃条件下真空退火12h；将衬底固定在基底上，并置于分子束外延设备真空腔体内，将高纯硫族单质硒置于第一束源炉中，将高纯过渡金属单质钯置于第二束源炉中；对分子束外延设备腔体进行多级抽真空处理，使得本体真空度达到10-8pa；设置基底温度500℃，基底旋转速度为0radmin；使用分步蒸发法沉积薄膜，首先关闭第一束源炉，打开第二束源炉，设置第二束源炉的温度1157℃，沉积速度为沉积时间40min，得到钯层，然后关闭第二束源炉，打开第一束源炉，设置第一束源炉的温度125℃，沉积速度为沉积时间60min，硒原子插入钯原子之间形成过渡金属硫族化合物硒化钯；使用后蒸发法处理上述形成的薄膜，关闭第二束源炉，打开第一束源炉，设置第一束源炉的温度125℃，沉积速度为或沉积时间90min或200min；关闭第一束源炉和第二束源炉，对上述薄膜进行热退火处理，将基底温度降至400℃，保温60min，继续降至300℃，保温60min，随后降至室温。

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