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恭喜东芯半导体股份有限公司陈纬荣获国家专利权

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龙图腾网恭喜东芯半导体股份有限公司申请的专利用于过擦除修复的方法和存储装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115295056B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210961804.2,技术领域涉及:G11C16/34;该发明授权用于过擦除修复的方法和存储装置是由陈纬荣设计研发完成,并于2022-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。

用于过擦除修复的方法和存储装置在说明书摘要公布了:本申请提供一种用于对非易失性存储器进行过擦除修复的方法、可执行该方法的存储装置、以及存储有执行该方法的指令的计算机可读介质,所述非易失性存储器包括多个存储区块,所述方法包括:a.对多个存储区块中的第一存储区块执行局部过擦除修复,局部过擦除修复以逐字线方式执行;b.对多个存储区块中的存储单元进行全字线过擦除校验;以及c.响应于判断全部字线上的存储单元中存在过擦除存储单元,对多个存储区块中未执行过局部过擦除修复的存储区块中的一个存储区块执行局部过擦除修复。

本发明授权用于过擦除修复的方法和存储装置在权利要求书中公布了:1.一种用于对非易失性存储器进行过擦除修复的方法,所述非易失性存储器包括多个存储区块,所述方法包括:a.对所述多个存储区块中的第一存储区块执行局部过擦除修复,所述局部过擦除修复以逐字线方式执行并且包括:将当前字线偏置到第一电压以对当前字线上的存储单元执行过擦除校验,所述第一电压高于所述第一存储区块中其他字线的电压;以及响应于判断当前字线上存在过擦除存储单元,对当前字线上的过擦除存储单元执行修复操作;b.对所述多个存储区块中的存储单元进行全字线过擦除校验,包括:同时将所述多个存储区块中的全部字线偏置到第二电压以对所述全部字线上的存储单元进行过擦除校验;以及c.响应于判断所述全部字线上的存储单元中存在过擦除存储单元,对所述多个存储区块中未执行过所述局部过擦除修复的存储区块中的一个存储区块执行所述局部过擦除修复。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人东芯半导体股份有限公司,其通讯地址为:201799 上海市青浦区徐泾镇诸光路1588弄虹桥世界中心L4A-F5;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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