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龙图腾网恭喜苏州培风图南半导体有限公司申请的专利可寻址测试阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115327333B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210962772.8，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权可寻址测试阵列是由林曦;沈忱;伍宏设计研发完成，并于2022-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本可寻址测试阵列在说明书摘要公布了：本发明公开了一种可寻址测试阵列，用于解决测试结构面积和测试过程时间利用率低的问题，其包括多个可寻址控制开闭的低漏电开关，低漏电开关包括：第一MOS管，其漏端连接至漏端电压信号线；第二MOS管，其漏端连接至信号保护通路，信号保护通路被配置为与漏端电压信号线上的电压相等；第一MOS管和第二MOS管的阱端电压被配置为与信号保护通路上的电压相等，第一MOS管和第二MOS管的源端互连；每个低漏电开关被配置为：在第一MOS管的栅端加载第一压控信号以使其导通、且在第二MOS管的栅端加载第二压控信号以使其关闭时，低漏电开关导通；在第一MOS管的栅端加载第一压控信号以使其关闭、且在第二MOS管的栅端加载第二压控信号以使其导通时，低漏电开关断开。

本发明授权可寻址测试阵列在权利要求书中公布了：1.一种可寻址测试阵列，用于多个待测器件的测试，其特征在于，包括多个可寻址控制开闭的低漏电开关，每个所述低漏电开关包括：第一MOS管，所述第一MOS管的漏端连接至漏端电压信号线；第二MOS管，所述第二MOS管的漏端连接至第一信号保护通路，所述第一信号保护通路被配置为与漏端电压信号线上的电压相等；其中，所述第一MOS管和第二MOS管的阱端电压被配置为与所述第一信号保护通路上的电压相等，所述第一MOS管和第二MOS管的源端互连并用于连接待测器件；每个所述低漏电开关被配置为：在所述第一MOS管的栅端加载第一压控信号以使所述第一MOS管导通、且在所述第二MOS管的栅端加载第二压控信号以使所述第二MOS管关闭时，所述低漏电开关导通；在所述第一MOS管的栅端加载第一压控信号以使所述第一MOS管关闭、且在所述第二MOS管的栅端加载第二压控信号以使所述第二MOS管导通时，所述低漏电开关断开。

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