恭喜浙江工业大学郑灵霞获国家专利权
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龙图腾网恭喜浙江工业大学申请的专利一种富硫空位硫化镍纳米片阵列结构催化剂材料及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115233250B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210713874.6，技术领域涉及：C25B11/075；该发明授权一种富硫空位硫化镍纳米片阵列结构催化剂材料及其制备方法与应用是由郑灵霞;郑华均;吕卓清;徐鹏辉设计研发完成，并于2022-06-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种富硫空位硫化镍纳米片阵列结构催化剂材料及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种富硫空位硫化镍纳米片阵列结构催化剂材料及其制备方法与应用，本发明采用水热法直接在泡沫镍基底上原位生长Ni3S2超薄纳米片前驱体，之后通过惰性氛围下高温煅烧的方法引入硫空位，制得Vs‑Ni3S2纳米片阵列结构材料，该制备方法具有工艺简单、成本低廉、环境友好等优点，硫空位的引入有效调控材料电子结构和载流子浓度，提高了材料的本征电导率和氧化还原反应的多样性以及对反应物的吸附性能；该缺陷态催化剂可用于电催化氧化苯甲醇制备苯甲酸，转化率可达99％，选择性高达99％。
本发明授权一种富硫空位硫化镍纳米片阵列结构催化剂材料及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种富硫空位硫化镍纳米片阵列结构催化剂材料的制备方法，其特征在于，所述的制备方法为：1将硫脲溶解于去离子水中，加入泡沫镍基底，在100～160℃下水热反应1～10h，之后取出经洗涤干燥，即在泡沫镍基底上得到Ni3S2前驱体材料；2将负载有Ni3S2前驱体材料的泡沫镍放入管式炉中，在惰性气体保护下升温至250～450℃煅烧0.5～4.5h，得到所述的富硫空位硫化镍纳米片阵列结构催化剂材料。
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