恭喜TCL华星光电技术有限公司陈寿清获国家专利权
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龙图腾网恭喜TCL华星光电技术有限公司申请的专利阵列基板及其制作方法、显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114843285B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210441659.5，技术领域涉及：H10D86/40；该发明授权阵列基板及其制作方法、显示面板是由陈寿清;卢马才设计研发完成，并于2022-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本阵列基板及其制作方法、显示面板在说明书摘要公布了：本申请公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板，阵列基板包括衬底和有源层；有源层包括沟道部和有源部，有源部包括第一掺杂部和第二掺杂部，第二掺杂部连接第一掺杂部和沟道部，第一掺杂部的离子浓度大于第二掺杂部的离子浓度；以及在衬底至有源层的方向上，第一掺杂部的厚度尺寸大于第二掺杂部的厚度尺寸；本申请通过预先在第一有源层材料中添加离子，以及将第一有源层中第一掺杂部对应的位置的厚度尺寸设置为大于第二掺杂部对应的位置的厚度尺寸，再沉积第二有源层，从而使两层有源层在激光退火中结晶，并且借助第一掺杂部和第二掺杂部的厚度差异形成不同的离子浓度，从而解决了采用高温扩散式掺杂的阵列基板无法实现LDD结构的技术问题。
本发明授权阵列基板及其制作方法、显示面板在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底和设置于所述衬底上的有源层；其中，所述有源层包括：沟道部；有源部，设置于所述沟道部两侧，所述有源部包括第一掺杂部和第二掺杂部，所述第二掺杂部位于所述第一掺杂部和所述沟道部之间，以及所述第二掺杂部与所述沟道部和所述第一掺杂部连接，所述第一掺杂部的离子浓度大于所述第二掺杂部的离子浓度；其中，在所述衬底至所述有源层的方向上，所述第一掺杂部的厚度尺寸大于所述第二掺杂部的厚度尺寸，以及所述沟道部的厚度尺寸小于所述第二掺杂部的厚度尺寸。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人TCL华星光电技术有限公司，其通讯地址为：518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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