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龙图腾网恭喜山东芯源微电子有限公司申请的专利一种减小硅片扩散硼硅玻璃层厚度的硼膜制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114999903B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210395191.0，技术领域涉及：H01L21/228；该发明授权一种减小硅片扩散硼硅玻璃层厚度的硼膜制造方法是由汪良恩;王锡康;姜兰虎设计研发完成，并于2022-04-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种减小硅片扩散硼硅玻璃层厚度的硼膜制造方法在说明书摘要公布了：本发明属于硅片扩散膜技术领域，具体涉及一种减小硅片扩散硼硅玻璃层厚度的硼膜制造方法，包括以下步骤：步骤一液态硼扩散源制备；步骤二液态硼扩散源沉淀形成固态硼扩散膜；步骤三后处理，所述后处理过程中对固态硼扩散膜进行低温干燥；步骤四将干燥后的固体硼扩散膜切割成型；步骤五分选；相比于现有技术，1利用本发明制备的硼扩散膜对硅片进行扩散处理后，硅片表面只有很薄的不大于50纳米硼硅玻璃层，不再需要利用机械方式进行处理；不会增加硅片的机械应力；2提升硅片扩散处理后的产品特性；3有利于最终产品芯片的良率提升。

本发明授权一种减小硅片扩散硼硅玻璃层厚度的硼膜制造方法在权利要求书中公布了：1.一种减小硅片硼扩散处理后表面硼硅玻璃层厚度的方法，其特征在于，把已表面处理后的硅片和制备的固态硼扩散膜进行叠片，固态硼扩散膜贴合硅片待扩散硼的表面；然后将叠片装入石英舟进行扩散处理；所述固态硼扩散膜的制备包括以下步骤：步骤一液态硼扩散源制备，将含硼原料、粘合剂、分离剂和吸收剂按照一定比例加入配料槽混匀，得到液态硼扩散源；所述分离剂为氧化铝粉末；所述吸收剂为氢氧化铝粉末；步骤二液态硼扩散源沉淀形成固态硼扩散膜；步骤三后处理，所述后处理过程中对固态硼扩散膜进行低温干燥；步骤四将干燥后的固体硼扩散膜切割成型；步骤五分选；扩散处理过程中，吸收剂氢氧化铝粉末受热在活性氧化铝转化温度范围内分解出活性氧化铝γ-Al2O3，活性氧化铝对固态硼扩散膜中的硼源进行吸收,之后的扩散处理过程中活性氧化铝会缓慢释放吸收的硼源。

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