买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储器及其制备方法、存储系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664861B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210266451.4，技术领域涉及：H10B43/50；该发明授权三维存储器及其制备方法、存储系统是由张坤;周文犀;夏志良;霍宗亮设计研发完成，并于2022-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本三维存储器及其制备方法、存储系统在说明书摘要公布了：本公开提供了一种三维存储器及其制备方法、存储系统，涉及半导体芯片领域，旨在减小阵列器件与外围器件之间的未对准误差以及降低工艺难度。该三维存储器的制备方法包括：在衬底的第一侧形成叠层结构；形成贯穿叠层结构且延伸入衬底的隔槽，并在隔槽内填充牺牲材料；在叠层结构远离衬底的一侧形成多个导电结构；提供外围电路，将外围电路与多个导电结构中的至少一个导电结构键合；去除至少部分衬底，以暴露牺牲材料；以及，去除牺牲材料，通过隔槽，将牺牲层替换为第一导电层。本公开提供的制备方法，先将外围电路与导电结构键合，然后再去除牺牲材料，制作第一导电层，从而减小了外围电路与包含导电结构的阵列器件之间的未对准误差。

本发明授权三维存储器及其制备方法、存储系统在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，包括：在衬底的第一侧形成叠层结构，所述叠层结构包括交替设置的介质层和牺牲层；形成贯穿所述叠层结构且延伸入所述衬底的隔槽，并在所述隔槽的至少部分内壁上形成第三保护层，其中，所述第三保护层至少覆盖所述衬底暴露在所述隔槽中的表面；在所述隔槽内填充牺牲材料；在所述叠层结构远离所述衬底的一侧形成多个导电结构；所述多个导电结构中的至少部分导电结构延伸入所述叠层结构；提供外围电路，将所述外围电路与所述多个导电结构中的至少一个导电结构键合；去除至少部分所述衬底，以暴露出所述隔槽内的牺牲材料；去除所述隔槽内的牺牲材料，通过所述隔槽，将所述牺牲层替换为第一导电层，以使所述多个导电结构中的至少部分导电结构电连接至所述第一导电层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长江存储科技有限责任公司，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。