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龙图腾网恭喜浙江大学申请的专利一种低寄生电感和高散热效率的埋入式功率模块封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823644B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210221535.6，技术领域涉及：H01L25/07；该发明授权一种低寄生电感和高散热效率的埋入式功率模块封装结构是由孙欣楠;陈敏;李博栋;汪小青;张东博设计研发完成，并于2022-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低寄生电感和高散热效率的埋入式功率模块封装结构在说明书摘要公布了：本发明涉及功率半导体器件封装技术领域，旨在提供一种低寄生电感和高散热效率的埋入式功率模块封装结构。包括由上至下依次布置的顶部绝缘层、顶部金属图案层、焊料层、器件层、底部金属图案层和底部绝缘层；器件层包括至少两个MOSFET功率芯片和若干个金属连接块，并以绝缘填料填充于MOSFET功率芯片和金属连接块之间，使其相互隔离；功率芯片的漏极通过焊料层与顶部金属图案层相接，其源极和栅极分别与底部金属图案层电连接；金属连接块的上下表面分别与顶部金属图案层和底部金属图案层电连接。本发明通过将功率芯片嵌入于绝缘材料内，降低了功率模块的封装体积和重量，提升了模块的功率密度。无需使用键合线和电极引线，有效减小了功率模块的寄生电感。

本发明授权一种低寄生电感和高散热效率的埋入式功率模块封装结构在权利要求书中公布了：1.一种低寄生电感和高散热效率的埋入式功率模块封装结构，其特征在于：包括由上至下依次布置的顶部绝缘层9、顶部金属图案层4、焊料层6、器件层8、底部金属图案层5和底部绝缘层10；顶部绝缘层9和底部绝缘层10均具有局部开口，顶部金属图案层4和底部金属图案层5在开口位置露出的部分分别作为顶部电极端子11和底部电极端子12；所述器件层8包括至少两个MOSFET功率芯片2和若干个金属连接块3，并以绝缘填料填充于MOSFET功率芯片2和金属连接块3之间，使其相互隔离；所述MOSFET功率芯片2的漏极203通过焊料层6与顶部金属图案层4相接，其源极201和栅极202分别与底部金属图案层5电连接；所述金属连接块3的上下表面分别与顶部金属图案层4和底部金属图案层5电连接。

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