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龙图腾网恭喜辽宁大学申请的专利一种生长于透明基底的半导体薄膜材料吸收系数的优化计算方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114544529B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210165701.5，技术领域涉及：G01N21/31；该发明授权一种生长于透明基底的半导体薄膜材料吸收系数的优化计算方法是由李硕;吴云;李亚会;张宇;宋溪明设计研发完成，并于2022-02-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种生长于透明基底的半导体薄膜材料吸收系数的优化计算方法在说明书摘要公布了：本发明公布了一种生长于透明基底的半导体薄膜材料吸收系数的优化计算方法。计算过程包括如下步骤：首先通过紫外‑可见分光光度计对半导体电极进行紫外‑可见吸收光谱和反射光谱的测试，然后利用反射光谱对测得的吸收值进行修正。接下来通过对吸收值进行Min‑Max标准化处理使其更符合实际，最后利用吸收系数与吸收值的关系推导出纯半导体薄膜的吸收系数。本发明主要通过紫外‑可见吸收光谱、反射光谱优化计算纯半导体薄膜的吸收系数，提出了一种计算纯半导体薄膜吸收系数的方法，该种方法可以应用到任何半导体薄膜电极，为准确计算半导体薄膜的吸收系数提供了依据。

本发明授权一种生长于透明基底的半导体薄膜材料吸收系数的优化计算方法在权利要求书中公布了：1.一种生长于透明基底的半导体薄膜材料吸收系数的优化计算方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一：通过紫外-可见分光光度计对半导体电极进行紫外-可见吸收光谱和反射光谱的测试得到吸收值A测和反射率R；步骤二：利用反射光谱测试得到的R对步骤一测得的吸收值A测进行修正；步骤三：对修正后的吸收值A修进行Min-Max标准化处理得到A*；步骤四：利用吸收系数与吸收值A*的关系推导出半导体薄膜的吸收系数；所述步骤二中吸收值的修正公式如下： A 修 = =lg1-R%+A 测 ；其中，R%为反射率，R%=，IR为反射光光强；所述步骤四中吸收系数的计算公式如下： =·；变形得：，两边取对数可得：，即A修=；其中，α为吸收系数，l为半导体薄膜的厚度；由于实际过程中对A修进行了Min-Max标准化处理，故此时的吸收系数。

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