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龙图腾网恭喜深圳市安健科技股份有限公司申请的专利一种双能平板探测器结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114420713B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210097639.0，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权一种双能平板探测器结构是由崔巍;郑晗;王宗朋;何德毅设计研发完成，并于2022-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双能平板探测器结构在说明书摘要公布了：本发明涉及探测器技术领域，特别涉及一种双能平板探测器结构，包括第光电传感器阵列层，光电传感器阵列层包括高能传感器单元和低能传感器单元，高能传感器单元的感光区域结构为顶栅极不透明且底栅极透明的高能光敏晶体管，低能传感器单元的感光区域结构为顶栅极透明且底栅极不透明的低能光敏晶体管，通过采用光敏晶体管进行感光，光敏晶体管与薄膜晶体管具有完全兼容的制程，并通过将高能光敏晶体管的源极与漏极之间的间距设计成大于高能薄膜晶体管的源极与漏极之间的间距，将低能光敏晶体管的源极与漏极之间的间距设计成大于低能薄膜晶体管的源极与漏极之间的间距，这样可以增加感光区域的感光性能，提高感光面积，从而能够提高像素分辨率。

本发明授权一种双能平板探测器结构在权利要求书中公布了：1.一种双能平板探测器结构，包括第一闪烁体层，所述第一闪烁体层的一侧面上依次层叠覆盖有射线滤过层、透明衬底、光电传感器阵列层和第二闪烁体层，所述光电传感器阵列层包括呈交替分布的高能传感器单元和低能传感器单元，其特征在于，所述高能传感器单元的感光区域的结构为顶栅极不透明且底栅极透明的高能光敏晶体管，所述低能传感器单元的感光区域的结构为顶栅极透明且底栅极不透明的低能光敏晶体管，所述高能传感器单元的开关区域的结构与低能传感器单元的开关区域的结构均为薄膜晶体管，且分别为高能薄膜晶体管与低能薄膜晶体管，所述高能光敏晶体管的源极与漏极之间的间距大于高能薄膜晶体管的源极与漏极之间的间距，所述低能光敏晶体管的源极与漏极之间的间距大于低能薄膜晶体管的源极与漏极之间的间距。

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