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龙图腾网恭喜中国电子科技集团公司第二十四研究所申请的专利用于高可靠薄膜混合集成电路的陶瓷薄膜基板及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121773B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111495125.2，技术领域涉及：H01L21/70；该发明授权用于高可靠薄膜混合集成电路的陶瓷薄膜基板及制作方法是由叶冬;沈小刚;罗驰;练东设计研发完成，并于2021-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于高可靠薄膜混合集成电路的陶瓷薄膜基板及制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于高可靠薄膜混合集成电路的陶瓷薄膜基板及制作方法，包括在基板上依次形成薄膜电阻层、阻挡层和薄金籽晶层；在薄金籽晶层上形成金导带；去除薄金籽晶层；在待镀镍区域形成镍层；在焊盘区域的镍层上履盖焊盘金层；形成薄膜电阻网络；形成镍钝化层。本发明中，在氧化铝陶瓷基板上采用磁控溅射、光刻技术、微电子电镀工艺、去胶、腐蚀技术和热处理工艺技术，分别形成金导带、镍铬硅薄膜电阻网络，并在金导带上叠加镍金烧焊焊盘及阻焊层，制作的薄膜基板金层厚度厚、线宽精度高、台阶形貌陡直，可以满足高精度、高频和高可靠应用要求；基板结构兼容标准微组装工艺，可广泛应用于薄膜混合集成电路领域。

本发明授权用于高可靠薄膜混合集成电路的陶瓷薄膜基板及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种用于高可靠薄膜混合集成电路的陶瓷薄膜基板制作方法，其特征在于，包括以下步骤：取一基板，并对基板进行清洗；在基板上依次形成薄膜电阻层、阻挡层和薄金籽晶层；在薄金籽晶层上形成金导带；去除基板表面裸露的薄金籽晶层，露出阻挡层；所述裸露的薄金籽晶层为未覆盖金导带的薄金籽晶层；在待镀镍区域形成履盖金导带的上端面、以及包裹该区域的金导带侧壁的镍层；所述待镀镍区域包括在预先确定的焊盘区域下方的金导带所在区域、以及在该金导带所在区域的基础上向四周无金导带的方向延伸5.0μm～7.5μm和沿连接的金导带延伸200μm～250μm形成的延伸区域；在焊盘区域的镍层上履盖焊盘金层，形成镍薄金焊盘；所述焊盘金层的尺寸小于其下方的金导带的尺寸；去除薄膜电阻层上的裸露部分的阻挡层；所述裸露部分的阻挡层为未覆盖金导带和镍层的阻挡层；去除基板上裸露部分的薄膜电阻层，露出基板，形成薄膜电阻网络；本步骤包括：采用第四光刻胶光刻出薄膜电阻区域的图形；通过对第四光刻胶曝光和显影露出薄膜电阻区域以外的薄膜电阻层，形成薄膜电阻网络；采用湿法腐蚀去除基板上裸露部分的薄膜电阻层，露出基板，所述裸露部分的薄膜电阻层为未覆盖第四光刻胶和阻挡层的薄膜电阻层；去除基板上的第四光刻胶；对基板进行热处理，在裸露部分的镍层上形成镍钝化层，所述裸露部分的镍层为表面未覆盖焊盘金层的镍层。

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