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龙图腾网恭喜福建省晋华集成电路有限公司申请的专利一种电容结构制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114171680B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111476208.7，技术领域涉及：H10D1/68；该发明授权一种电容结构制备方法是由张正国;郑存闵;蔡佩庭;林刚毅;李武祥;林毓纯;范培杰;陈笋弘设计研发完成，并于2021-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电容结构制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种电容结构制备方法，通过在基底上沉积包括第一介电层、第一支撑层、第二介电层、第二支撑层以及呈预设图案的阻挡层的堆叠结构，在堆叠结构中刻蚀出多个开口，其中开口的底部显露出位于基底中的电连接垫，沉积覆盖呈预设图案的阻挡层的顶表面以及开口的侧壁和底表面的导电层，刻蚀至少部分导电层形成下电极，下电极的顶表面至基底的第一距离小于第二支撑层的顶表面至基底的第二距离，去除第一介电层、第二介电层和呈预设图案的阻挡层，形成至少覆盖下电极的电容介电层以及上电极。该方法在对导电层进行回刻蚀以形成下电极时，阻挡层可以避免对用于支撑下电极顶部的第二支撑层进行过刻蚀，从而有利于保证整个电容结构的稳定性。

本发明授权一种电容结构制备方法在权利要求书中公布了：1.一种电容结构制备方法，其特征在于，包括：在基底上形成堆叠结构，所述堆叠结构包括在所述基底上依次沉积的第一介电层、第一支撑层、第二介电层、第二支撑层以及呈预设图案的阻挡层；以所述呈预设图案的阻挡层为掩模，在所述堆叠结构中刻蚀出多个开口，其中所述开口的底部显露出位于所述基底中的电连接垫；沉积导电层，所述导电层覆盖所述呈预设图案的阻挡层的顶表面以及所述开口的侧壁和底表面；刻蚀至少部分所述导电层，以形成下电极，所述下电极的顶表面至所述基底的第一距离小于所述第二支撑层的顶表面至所述基底的第二距离；去除所述第一介电层、第二介电层和所述呈预设图案的阻挡层；形成至少覆盖所述下电极的电容介电层以及上电极；所述刻蚀至少部分所述导电层，以形成下电极之前，所述方法还包括：沉积保护层，所述保护层至少覆盖位于所述开口的侧壁和底表面上的所述导电层；刻蚀部分所述保护层和部分所述导电层，以形成下电极，其中，刻蚀后所述保护层的顶表面距所述基底的第三距离小于所述第二支撑层的底表面至所述基底的第四距离；去除剩余的所述保护层；所述保护层中具有孔隙结构；所述孔隙结构位于保护层中靠近所述下电极的底表面的区域。

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