恭喜拓荆科技股份有限公司谈太德获国家专利权
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龙图腾网恭喜拓荆科技股份有限公司申请的专利晶圆升降柱及其制备方法、晶圆处理设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141689B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111470247.6，技术领域涉及：H01L21/687；该发明授权晶圆升降柱及其制备方法、晶圆处理设备是由谈太德;郭月;杨辰烨;陈新益设计研发完成，并于2021-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶圆升降柱及其制备方法、晶圆处理设备在说明书摘要公布了：本发明提供了一种晶圆升降柱，设置于半导体基座内，以用于升降晶圆，所述晶圆升降柱包括金属基体和陶瓷涂层，所述陶瓷涂层设置于所述金属基体的外表面，使得减小了晶圆升降柱折断的概率，减少了PA产生，即通过金属材料制成的所述金属基体导电性好，可以有效地转移走静电，而且金属基体易加工，成型性强，韧性好，不易折断，而所述陶瓷涂层耐磨损，可解决PA超标引起的问题，而且所述陶瓷涂层可以重复加工，使得晶圆升降柱顶部承托晶圆的承托结构可以翻新使用。本发明还提供了所述晶圆升降柱的制备方法和晶圆处理设备。
本发明授权晶圆升降柱及其制备方法、晶圆处理设备在权利要求书中公布了：1.一种晶圆升降柱，设置于半导体基座内，以用于升降晶圆，其特征在于，所述晶圆升降柱包括金属基体和陶瓷涂层，所述陶瓷涂层设置于所述金属基体的外表面；所述晶圆升降柱的上端部的所述金属基体的外表面设置的所述陶瓷涂层的厚度大于所述金属基体的剩余外表面设置的所述陶瓷涂层的厚度，所述上端部为所述晶圆升降柱承托晶圆的端部；所述晶圆升降柱承托晶圆的上端部的所述陶瓷涂层为锥形结构，所述上端部的所述陶瓷涂层的顶端面为球面结构，且所述顶端面设有环形凹槽。
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