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龙图腾网恭喜中国电子科技集团公司第十三研究所申请的专利凋零模式结构微机械滤波器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114094979B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111306761.6，技术领域涉及：H03H9/46；该发明授权凋零模式结构微机械滤波器是由张韶华;王胜福;李宏军;周少波;周明齐;孙涛;朱毅凡;于亮;汪晓龙;王小维;汤晓东;张俊杰;温鹏浩;齐明岩;岳晓平设计研发完成，并于2021-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本凋零模式结构微机械滤波器在说明书摘要公布了：本发明提供了一种凋零模式结构微机械滤波器，属于半导体封装技术领域，包括上介质层以及下介质层，上介质层设有上层接地金属化通孔、信号馈入部分和信号馈出部分；下介质层键合于上介质层的下面，下介质层设有下层接地金属化通孔和下层电磁屏蔽金属化通孔，下层电磁屏蔽金属化通孔作为凋零模式谐振柱；信号馈入部分和信号馈出部分与凋零模式谐振柱之间不通过物理连通；上介质层和下介质层通过上层接地金属化通孔和下层接地金属化通孔实现共地。本发明将凋零模式结构与微机械滤波器相结合，将MEMS工艺应用到凋零模式结构中，并将谐振耦合结构进行变形和重构，具备窄带宽和超宽带全面覆盖、体积小、相位一致性高、谐波抑制远、Q值高的特点。

本发明授权凋零模式结构微机械滤波器在权利要求书中公布了：1.一种凋零模式结构微机械滤波器，其特征在于，包括：上介质层1，设有上层接地金属化通孔14、信号馈入部分111和信号馈出部分113；以及下介质层2，层叠且键合于所述上介质层1的下面，所述下介质层2设有下层接地金属化通孔24和下层电磁屏蔽金属化通孔，所述下层电磁屏蔽金属化通孔作为凋零模式谐振柱25；所述信号馈入部分111和所述信号馈出部分113与所述凋零模式谐振柱25之间不通过物理连通；所述上介质层1和所述下介质层2通过所述上层接地金属化通孔14和所述下层接地金属化通孔24实现共地；微波信号沿位于所述上介质层1的所述信号馈入部分111输入，经所述下介质层的所述凋零模式谐振柱25谐振滤波，再从所述上介质层1的所述信号馈出部分113传出；所述上介质层1包括上层晶圆硅片12以及设于其上表面和下表面的上层上表面金属化图形11和上层下表面金属化图形13，所述上层上表面金属化图形11包括所述信号馈入部分111、屏蔽金属层112和所述信号馈出部分113，所述屏蔽金属层112连接于所述信号馈入部分111和信号馈出部分113之间；所述上层下表面金属化图形13包括上层下表面电磁屏蔽金属化框131及与所述上层下表面电磁屏蔽金属化框131隔离设置的上层下表面容性加载片132；所述上层接地金属化通孔14贯穿所述上层晶圆硅片12、所述上层上表面金属化图形11和所述上层下表面金属化图形13；所述下介质层2包括下层晶圆硅片22以及设置于其上表面和下表面的下层上表面金属化图形21和下层下表面金属化图形23，所述下层上表面金属化图形21包括下层上表面电磁屏蔽金属化框211以及与所述下层上表面电磁屏蔽金属化框211隔离的下层上表面容性加载片212；所述上层下表面电磁屏蔽金属化框131匹配所述下层上表面电磁屏蔽金属化框211，所述上层下表面容性加载片132匹配所述下层上表面容性加载片212，所述下层上表面金属化图形21与所述上层下表面金属化图形13键合，以使所述上介质层1与所述下介质层2实现键合；所述下层接地金属化通孔24和所述凋零模式谐振柱25均贯穿所述下层晶圆硅片22、所述下层上表面金属化图形21和所述下层下表面金属化图形23。

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