恭喜长鑫存储技术有限公司郭帅获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体器件的制备方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116053196B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111264789.8，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权一种半导体器件的制备方法及半导体器件是由郭帅设计研发完成，并于2021-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件的制备方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种半导体器件的制备方法，所述方法包括：提供衬底，衬底包括存储阵列区，存储阵列区上形成有多条位线，多条位线之间填充有第一绝缘材料，第一绝缘材料内具有多条与位线交叉的沟槽；其中，存储阵列区包括内部区域以及位于内部区域外的边界区域；在沟槽内填充第二绝缘材料形成间隔线，第二绝缘材料还沉积在位线、间隔线及第一绝缘材料的上方构成盖帽材料层；执行刻蚀工艺，形成节点接触孔，包括：刻蚀盖帽材料层形成盖帽层，盖帽层覆盖位于边界区域的位线、间隔线及第一绝缘材料；以盖帽层为掩膜，刻蚀移除内部区域的第一绝缘材料，形成节点接触孔。
本发明授权一种半导体器件的制备方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底，所述衬底包括存储阵列区，所述存储阵列区上形成有多条位线，多条所述位线之间填充有第一绝缘材料，所述第一绝缘材料内具有多条与所述位线交叉的沟槽；其中，所述存储阵列区包括内部区域以及位于所述内部区域外的边界区域；在所述沟槽内填充第二绝缘材料形成间隔线，所述第二绝缘材料还沉积在所述位线、所述间隔线及所述第一绝缘材料的上方构成盖帽材料层；执行刻蚀工艺，形成节点接触孔，包括：刻蚀所述盖帽材料层形成盖帽层，所述盖帽层覆盖位于所述边界区域的所述位线、所述间隔线及所述第一绝缘材料；以所述盖帽层为掩膜，刻蚀移除所述内部区域的所述第一绝缘材料，形成所述节点接触孔。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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