恭喜台湾积体电路制造股份有限公司林士尧获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利晶体管栅极结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113690305B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110873984.4，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权晶体管栅极结构及其形成方法是由林士尧;陈振平;李筱雯;林志翰设计研发完成，并于2021-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶体管栅极结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及晶体管栅极结构及其形成方法。在一个实施例中，一种器件，包括：隔离区域；纳米结构，突出得高于隔离区域的顶表面；栅极结构，包裹在纳米结构的周围，该栅极结构具有与隔离区域接触的底表面，栅极结构的底表面延伸到远离纳米结构第一距离，该栅极结构具有被设置为距离纳米结构第二距离的侧壁，第一距离小于或等于第二距离；以及栅极结构的侧壁上的混合鳍。
本发明授权晶体管栅极结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：隔离区域；纳米结构，突出得高于所述隔离区域的顶表面；栅极结构，包裹在所述纳米结构的周围，所述栅极结构具有与所述隔离区域接触的底表面，所述栅极结构的底表面延伸到远离所述纳米结构第一距离，所述栅极结构具有被设置为距离所述纳米结构第二距离的侧壁，所述第一距离小于或等于所述第二距离；以及所述栅极结构的侧壁上的混合鳍，其中，所述混合鳍由电介质材料形成，其中，所述半导体器件还包括：保护层，设置在所述混合鳍和所述栅极结构之间，所述保护层覆盖所述栅极结构的侧壁的上部，所述栅极结构的侧壁的下部没有被所述保护层覆盖。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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