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龙图腾网恭喜鲁东大学申请的专利一种激光钻孔三维球形电极探测器、设计方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113809200B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110860344.X，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种激光钻孔三维球形电极探测器、设计方法及应用是由谭泽文;李正;李鑫卿;蔡新毅;王洪斐;刘曼文;熊波设计研发完成，并于2021-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种激光钻孔三维球形电极探测器、设计方法及应用在说明书摘要公布了：本发明属于半导体探测器技术领域，公开了一种激光钻孔三维球形电极探测器、设计方法及应用，通过激光器多次均匀打孔形成沟槽，在沟槽内通过离子扩散的方法进行掺杂，最终形成球形电极。N型轻掺杂硅基体上端中间掺杂有N型重掺杂阳极，N型重掺杂阳极外侧掺杂有多个等距间隔排列的P型重掺杂上表面环；N型轻掺杂硅基体底部设置有P型重掺杂阴极，P型重掺杂阴极设置有P型重掺杂环和P型重掺杂面。本发明阳极到阴极间距离相同，使探测器内电势分布非常均匀，提高了新型探测器单元的电荷收集率；上表面重掺杂环的设计使探测器单元内表面电场分布更加均匀；根据现有工艺，通过激光器均匀钻孔，离子扩散掺杂的方法，可以实现球形电极。

本发明授权一种激光钻孔三维球形电极探测器、设计方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种激光钻孔三维球形电极探测器的设计方法，其特征在于，所述激光钻孔三维球形电极探测器的设计方法包括：通过激光器多次均匀打孔形成沟槽，在沟槽内通过离子扩散的方法进行掺杂，最终形成球形电极；激光钻孔三维球形电极探测器是在刻蚀柱与硅基体之间形成PN结，通过外加反偏电压形成外部电场，使其中电子向阳极漂移，空穴向阴极漂移，电子被探测器上表面中心阳极收集，所以此处电势最高；然后通过外端集成电路对反馈的电流信号进行处理后，得到有关入射粒子的能量、位置、运动轨迹信息；所述球形电极中，阳极到阴极间距离相同，使球形电极内电势分布均匀；所述激光钻孔三维球形电极探测器的设计方法进一步包括结构尺寸和内部构造的设计，通过以下公式计算得出：设定d＝R,间距P,间隙g＝βPxi＝iPi＝1,2,....N d＝R,xN＝R,yN＝ξR,0＜ξ＜1,其中R＝200μm，β＝0.8，P＝20μm，W＝16，xi代表刻蚀柱中心坐标到原点的距离，yi代表刻蚀柱的高度，i代表刻蚀柱序号，N代表数量，y10＝0.9*R。

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