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龙图腾网恭喜中北大学;南通高等研究院申请的专利一种基于大马士革工艺的MEMS开关牺牲层的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114291784B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110814293.7，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种基于大马士革工艺的MEMS开关牺牲层的制备方法是由王俊强;张世义;吴倩楠;余建刚;李孟委设计研发完成，并于2021-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于大马士革工艺的MEMS开关牺牲层的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于大马士革工艺的MEMS开关牺牲层的制备方法，包括步骤：S1、获取晶圆；S2、在晶圆的表面沉积牺牲层，牺牲层的材料包括半导体材料；S3、刻蚀牺牲层，在共面波导上形成通孔；S4、在通孔中电镀锚点材料，形成初始锚点；S5、对牺牲层和初始锚点进行抛光处理，形成目标锚点，目标锚点的表面与牺牲层表面平齐；S6、在牺牲层表面电镀上电极，使得上电极与目标锚点接触；S7、释放牺牲层，形成MEMS开关的悬臂梁。该制备方法将大马士革工艺引入到牺牲层的制备过程中，有效改善了MEMS牺牲层的平整度，提高了牺牲层的稳定性，降低了牺牲层的释放时间，提高了生产效率，适用于MEMS开关的量产工作。

本发明授权一种基于大马士革工艺的MEMS开关牺牲层的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于大马士革工艺的MEMS开关牺牲层的制备方法，其特征在于，包括步骤：S1、获取晶圆，其中，所述晶圆表面制备有MEMS开关的共面波导；S2、在所述晶圆的表面沉积牺牲层，所述牺牲层的材料包括半导体材料，所述半导体材料包括二氧化硅、非晶硅、氮化硅中的一种或多种；S3、刻蚀所述牺牲层，在所述共面波导上形成通孔包括：S31、在所述牺牲层的表面进行通孔图形化处理，形成通孔图形区域；S32、刻蚀所述通孔图形区域的所述牺牲层，形成所述通孔；S4、在所述通孔中电镀锚点材料，形成初始锚点，包括；S41、在所述通孔和所述牺牲层表面制备第一种子层；S42、在所述第一种子层表面进行锚点图形化处理以露出所述通孔，形成锚点图形区域；S43、在所述锚点图形区域进行电化学沉积并去除所述第一种子层，形成所述初始锚点；S5、对所述牺牲层和所述初始锚点利用抛光机及硅抛光液进行抛光处理，形成目标锚点，所述目标锚点的表面与所述牺牲层表面平齐；S6、在所述牺牲层表面电镀上电极，使得所述上电极与所述目标锚点接触，包括；S61、在所述牺牲层表面制备第二种子层；S62、在所述第二种子层表面进行上电极图形化处理，形成上电极图形区域，所述上电极图形区域将所述锚点露出；S63、在所述上电极图形区域上进行电化学沉积并去除所述第二种子层，形成所述上电极；S7、利用氟化氢刻蚀机，通过氢氟酸气体对牺牲层进行释放，形成MEMS开关的悬臂梁。

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