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龙图腾网恭喜新电元工业株式会社申请的专利半导体装置以及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113921597B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110636387.X，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权半导体装置以及半导体装置的制造方法是由大谷欣也设计研发完成，并于2021-06-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置以及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：本发明的目的是提供一种能够使组装有半导体装置的电力转换电路小型化、并且能够柔性地应用于各种电气设备的缓冲电路内置型半导体装置。本发明涉及的半导体装置100包括：半导体基体110；源电极120；漏电极130；多个沟槽140；第一电极150，隔着分别形成在多个沟槽140的侧壁上的栅极绝缘膜172配置在沟槽内；第二电极160，以与第一电极150隔开的状态形成在第一电150极的上方；第一绝缘区域170；以及第二绝缘区域174，其中，沟槽140、第一电极150以及第二电极160从平面上看被形成为条纹状，多个第二电极160中的至少任一个与漏电极130连接。

本发明授权半导体装置以及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体基体，具有第一导电型的漂移层、形成在所述漂移层表面的第二导电型的基极区域、以及形成在所述基极区域表面的第一导电型的源极区域；源电极，形成在所述半导体基体的一个表面侧；漏电极，形成在所述半导体基体的另一个表面侧；多个沟槽，形成在所述半导体基体的一个表面，并具有与所述漂移层邻接的底部、以及与所述漂移层、所述基极区域和所述源极区域邻接的侧壁；多个第一电极，隔着分别形成在所述多个沟槽的所述侧壁上的栅极绝缘膜配置在所述沟槽内，并且其侧面与所述基极区域相对；多个第二电极，以与所述第一电极隔开的状态形成在各个所述第一电极的上方；第一绝缘区域，形成在所述沟槽的所述底部与所述第一电极之间，使所述第一电极与所述沟槽的所述底部隔开；以及第二绝缘区域，延展于所述第二电极与所述第一电极之间，使所述第二电极与所述第一电极隔开，并且延展于所述第二电极与所述沟槽的所述侧壁之间，使所述第二电极与所述沟槽的所述侧壁隔开，其中，所述沟槽、所述第一电极以及所述第二电极从平面上看被形成为条纹状，多个所述第二电极中的至少任一个与所述漏电极连接，所述第二电极被配置在所述沟槽内，所述第一电极为栅电极，所述第二电极为缓冲电极，且被配置在隔着所述第二绝缘区域与所述源极区域相对的位置上，以形成将所述第二电极与所述源极区域之间的寄生电容作为电容器，将所述第二电极自身的内部电阻作为电阻的缓冲电路。

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