恭喜青芯半导体科技(上海)有限公司孙向向获国家专利权
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龙图腾网恭喜青芯半导体科技(上海)有限公司申请的专利Flash模拟电路及其操作方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113326185B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110540646.9,技术领域涉及:G06F11/3698;该发明授权Flash模拟电路及其操作方法是由孙向向;江国范设计研发完成,并于2021-05-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本Flash模拟电路及其操作方法在说明书摘要公布了:本发明提供了一种Flash模拟电路及其操作方法,包括:Flash控制逻辑单元,被配置为将片内Flash操作命令提供至片内Flash模拟单元;片内Flash模拟单元,被配置为等效替代片内Flash,根据片内Flash操作命令,将BLOCKRAM模块作为片内Flash,通过控制逻辑对BLOCKRAM模块进行模拟行为,得到片内Flash行为模拟效应,以及将片内Flash行为模拟效应提供至Flash控制逻辑单元。
本发明授权Flash模拟电路及其操作方法在权利要求书中公布了:1.一种Flash模拟电路,其特征在于,包括:Flash控制逻辑单元,被配置为将片内Flash操作命令提供至片内Flash模拟单元;以及片内Flash模拟单元,被配置为执行下列动作:采用BLOCKRAM模块等效替代片内Flash,根据片内Flash操作命令,将BLOCKRAM模块作为片内Flash,对BLOCKRAM模块进行模拟行为,以得到片内Flash行为模拟效应;以及将片内Flash行为模拟效应提供至Flash控制逻辑单元。
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