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龙图腾网恭喜西安市新雷能电子科技有限责任公司申请的专利一种高压输入的浪涌电流抑制电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112928744B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110409117.5，技术领域涉及：H02H9/04；该发明授权一种高压输入的浪涌电流抑制电路是由辛帅;岳坤;陈良;李小强;何远;韩苏林设计研发完成，并于2021-04-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高压输入的浪涌电流抑制电路在说明书摘要公布了：本发明涉及浪涌抑制技术领域，公开了一种高压输入的浪涌电流抑制电路，包括：N型MOS管VT1，电容C1和电阻R2；N型MOS管VT1的漏极连接输入电源，N型MOS管VT1的源极连接输出端，电容C1的一端连接N型MOS管VT1的源极，电容C1的另一端连接电阻R2的一端，电阻R2的另一端接地；还包括负反馈电路，负反馈电路一端连接电阻R2，另一端连接N型MOS管VT1的栅极，用于控制N型MOS管VT1的导通深度，从而对浪涌电流进行精确控制，这种高压输入的浪涌电流抑制电路，对浪涌电流进行精确控制，解决了输入电压范围宽、工作温度范围宽而导致浪涌电流一致性差的问题。

本发明授权一种高压输入的浪涌电流抑制电路在权利要求书中公布了：1.一种高压输入的浪涌电流抑制电路，其特征在于，包括：N型MOS管VT1，电容C1和电阻R2；N型MOS管VT1的漏极连接输入电源，N型MOS管VT1的源极连接输出端，电容C1的一端连接N型MOS管VT1的源极，电容C1的另一端连接电阻R2的一端，电阻R2的另一端接地；还包括负反馈电路，负反馈电路一端连接电阻R2，另一端连接N型MOS管VT1的栅极，用于控制N型MOS管VT1的导通深度，从而对浪涌电流进行精确控制；所述负反馈电路包括：采样放大电路、比较电路和光耦电路；采样放大电路，用于对电阻R2两端的电压进行采样并放大得到电压V1；比较电路，用于将电压V1与参考电压V2进行比较；光耦电路，根据比较电路的输出信号控制N型MOS管VT1的导通深度，从而对浪涌电流进行精确控制；所述采样放大电路包括：电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7和运放U1A，电阻R3的一端、电阻R4的一端和电阻R5的一端均连接运放U1A的正相输入端，电阻R3的另一端接地，电阻R4的另一端和运放U1A均连接电源VCC，电阻R5的另一端连接电阻R2，电阻R6的一端连接运放U1A的反相输入端，电阻R6的另一端接地，电阻R7连接在运放U1A的输出端和反相输入端之间，运放U1A的输出端连接比较电路；所述比较电路包括：比较器U1B，比较器U1B的反相输入端连接电压V1，且通过电阻R8连接运放U1A的输出端，比较器U1B的正相输入端连接参考电压V2，比较器U1B的反相输入端与输出端之间依次连接有电阻R12和电容C2，比较器U1B的输出端通过电阻R19连接光耦电路的输入端；所述光耦电路包括：光耦U2、电阻R20、电阻R21和二极管D1，光耦U2连接电源VCC，电阻R19连接光耦U2的原边，光耦U2的副边与电阻R21并联，电阻R21一端连接N型MOS管VT1的源极，电阻R21另一端连接电阻R20的一端，电阻R20的另一端连接二极管D1的阴极，二极管D1的阳极通过电阻R1连接N型MOS管VT1的栅极；还包括电源切换电路；所述电源切换电路包括：电阻R13、电阻R14、电阻R15、电阻R16、电阻R17、电阻R18、N型MOS管VT2和N型MOS管VT3，电阻R13的一端连接控制信号KZ，电阻R13的另一端连接N型MOS管VT2的栅极，电阻R14连接在N型MOS管VT2的栅极和源极之间，N型MOS管VT2的源极接地，电阻R15的一端连接N型MOS管VT2的漏极，电阻R15的另一端连接电阻R16的一端同时连接电源VCC，电阻R16的另一端输出参考电压V2，电阻R18连接在N型MOS管VT2的源极和漏极之间，电阻R18连接在N型MOS管VT3的栅极和源极之间，N型MOS管VT3的源极接地，N型MOS管VT3的源极通过电容C3连接光耦U2的原边，N型MOS管VT3的漏极通过电阻R17连接电阻R16的另一端同时连接运放U1B的正相输入端；电阻R13～R18及N型MOS管VT2、VT3为切换电路，电源刚启动时，控制信号KZ为低电平，V2电压为电阻R16、R17的分压，设置的浪涌电流抑制点小，当电容C1充电完成时，通过压降检测电路检测到N型MOS管VT1两端电压压降小于设定范围时，使控制信号KZ切换成高电平，V2＝VCC，此时电路切换到大电流模式，切换电路是通过一个KZ信号改变V2的电压，控制电源工作在小电流模式和大电流模式，电源启动的时候在小电流模式工作，启动完成后就切换到大电流模式。

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