恭喜爱思开海力士有限公司李南宰获国家专利权
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龙图腾网恭喜爱思开海力士有限公司申请的专利半导体存储器装置和制造该半导体存储器装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114171531B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110023270.4，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权半导体存储器装置和制造该半导体存储器装置的方法是由李南宰设计研发完成，并于2021-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器装置和制造该半导体存储器装置的方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体存储器装置和制造该半导体存储器装置的方法。该半导体存储器装置包括：栅极叠层，其包括在第一方向上交替地层叠的层间绝缘层和字线；沟道柱，其穿过栅极叠层并且朝向第一方向逐渐变窄；源极选择线，其围绕沟道柱并且延伸以与栅极叠层交叠；以及源极隔离绝缘层，其在源极选择线之间与栅极叠层交叠，并且朝向与第一方向相反的方向逐渐变窄。
本发明授权半导体存储器装置和制造该半导体存储器装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：栅极叠层，所述栅极叠层包括在第一方向上交替层叠的层间绝缘层和字线；沟道柱，所述沟道柱穿过所述栅极叠层并且朝向所述第一方向逐渐变窄；源极选择线，所述源极选择线围绕所述沟道柱并且延伸以与所述栅极叠层交叠；以及源极隔离绝缘层，所述源极隔离绝缘层在所述源极选择线之间与所述栅极叠层交叠，并且朝向与所述第一方向相反的方向逐渐变窄。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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