恭喜旺宏电子股份有限公司叶腾豪获国家专利权
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龙图腾网恭喜旺宏电子股份有限公司申请的专利三维存储器元件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114649340B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011586692.4，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权三维存储器元件及其制造方法是由叶腾豪;吕函庭;李冠儒设计研发完成，并于2020-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储器元件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种三维存储器元件及其制造方法，三维存储器元件包括多个块元，且各块元包括多个区块，而各区块包括栅极堆叠结构、导体层、多个第一环状通道柱、多个源极漏极柱以及多个电荷储存结构。栅极堆叠结构设置于基底上且包括彼此电性绝缘的多个栅极层。导体层设置于基底和栅极堆叠结构之间。第一环状通道柱设置于基底上且位于栅极堆叠结构中。源极漏极柱设置于基底上且每个第一环状通道柱中配置有两个源极漏极柱。每个电荷储存结构设置于对应的栅极层与对应的第一环状通道柱之间。多个块元中的一个的导体层与多个块元中的另一个的导体层隔离开来。
本发明授权三维存储器元件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器元件，其特征在于，包括多个块元，每个所述块元包括多个区块，每个所述区块包括：栅极堆叠结构，设置于基底上且包括彼此电性绝缘的多个栅极层；导体层，设置于所述基底和所述栅极堆叠结构之间；多个第一环状通道柱，设置于所述基底上且位于所述栅极堆叠结构中；多个源极漏极柱，设置于所述基底上且每个所述第一环状通道柱中配置有两个所述源极漏极柱；以及多个电荷储存结构，每个所述电荷储存结构设置于对应的所述栅极层与对应的所述第一环状通道柱之间，其中多个所述块元中的一个的所述导体层与多个所述块元中的另一个的所述导体层隔离开来，以及其中，多个所述源极漏极柱延伸至所述导体层中，以使得多个所述源极漏极柱的部分嵌入所述导体层的内部。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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