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龙图腾网恭喜力晶积成电子制造股份有限公司申请的专利非挥发性存储器元件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114530452B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011441535.4，技术领域涉及：H10B41/10；该发明授权非挥发性存储器元件及其制造方法是由颜祥修;蔡博安设计研发完成，并于2020-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本非挥发性存储器元件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种非挥发性存储器元件及其制造方法，其中该非挥发性存储器元件的制造方法，包括在基底内形成元件隔离结构、在基底上形成浮动栅极、内层介电层与浮动栅极接触窗以及于内层介电层上形成内连线结构。所述内连线结构包括交替堆叠的多层金属层与多层金属层间介电IMD层以及连接上下金属层的多个介层窗。在所述方法中，形成内层介电层之后，在元件隔离结构上方的内层介电层与金属层间介电层中的至少一层内，同时形成第一梳型接触窗作为浮动栅极延伸部以及第二梳型接触窗作为控制栅极。在形成所述内连线结构期间，同时形成电连接浮动栅极延伸部至浮动栅极接触窗的结构。

本发明授权非挥发性存储器元件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种非挥发性存储器元件的制造方法，包括：在基底内形成定义出主动区域的元件隔离结构；在所述主动区域内的所述基底上形成浮动栅极；在所述基底上形成内层介电innerlayerdielectric,ILD层，覆盖所述浮动栅极与所述元件隔离结构；在所述内层介电层内形成浮动栅极接触窗，接触所述浮动栅极；以及在所述内层介电层上形成内连线结构，其中所述内连线结构包括交替堆叠的多层金属层与多层金属层间介电IMD层以及连接上下金属层的多个介层窗，其中所述制造方法的特征在于：在形成所述内层介电层之后，在所述元件隔离结构上方的所述内层介电层与所述金属层间介电层中的至少一层内，同时形成第一梳型接触窗作为浮动栅极延伸部以及第二梳型接触窗作为控制栅极；以及在形成所述内连线结构期间，同时形成电连接所述浮动栅极延伸部至所述浮动栅极接触窗的结构。

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