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龙图腾网恭喜京东方科技集团股份有限公司申请的专利X射线平板探测器及其制作方法、探测装置、成像系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114520239B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011311373.2，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权X射线平板探测器及其制作方法、探测装置、成像系统是由陈江博;卢尧;段立业;孙拓设计研发完成，并于2020-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本X射线平板探测器及其制作方法、探测装置、成像系统在说明书摘要公布了：本申请提供了一种X射线平板探测器及其制作方法、探测装置、成像系统。X射线平板探测器包括：基底；背板层，位于基底上，包括若干薄膜晶体管，每一薄膜晶体管包括源漏极层。走线层，位于背板层远离基底一侧，包括若干连接线。感光器件层，位于走线层远离基底一侧，包括多个第一电极，每一第一电极通过一连接线与一薄膜晶体管的源漏极层，且感光器件层在基底上的正投影与背板层在基底上的正投影不重叠。本申请能够提高X射线平板探测器的填充率，进而能够提升X射线平板探测器的分辨率和探测性能；另外，连接线的设置能够进一步提升X射线平板探测器的分辨率，且能够实现背板层与不同尺寸的感光器件层的兼容，进而能够降低生产成本。

本发明授权X射线平板探测器及其制作方法、探测装置、成像系统在权利要求书中公布了：1.一种X射线平板探测器，其特征在于，包括：基底；背板层，位于所述基底上，包括若干薄膜晶体管，每一所述薄膜晶体管包括源漏极层；走线层，位于所述背板层远离所述基底一侧，包括若干连接线；感光器件层，位于所述走线层远离所述基底一侧，包括多个第一电极和第二电极，每一所述第一电极通过一所述连接线与一所述薄膜晶体管的源漏极层电连接，且所述感光器件层在所述基底上的正投影与所述背板层在所述基底上的正投影不重叠；同一个像素的所述背板层中的像素与所述感光器件层中的像素不在同一垂直区域，所述背板层中的每个像素在所述基底上的正交投影与所述感光器件层中的对应像素在所述基底的正交投影不重叠；所述背板层包括多个以阵列方式排列的第一空间，每一第一空间对应一背板层的像素；所述感光器件层包括多个以阵列方式排列的第二空间，每一第二空间对应一感光器件层的像素；至少一组通过同一个连接线连接的第一空间与第二空间在基底上的正投影不重叠；所述第一电极为条形电极，所述第二电极为面状电极。

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