恭喜台湾积体电路制造股份有限公司赖蓓盈获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件中的栅极结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112582345B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011048544.7，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体器件中的栅极结构是由赖蓓盈;许家玮;侯承浩;于雄飞;徐志安设计研发完成，并于2020-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件中的栅极结构在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体器件中的栅极结构。一种方法包括在半导体鳍上方并沿着半导体鳍的侧壁沉积高k栅极电介质层。该方法还包括在高k栅极电介质层上方沉积n型功函数金属层，并且通过n型功函数金属层对高k栅极电介质层执行钝化处理。钝化处理包括远程等离子体工艺。该方法该包括在n型功函数金属层上方沉积填充金属，以在高k栅极电介质层上方形成金属栅极堆叠。该金属栅极堆叠包括n型功函数金属层和填充金属。
本发明授权半导体器件中的栅极结构在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体鳍上方并沿着所述半导体鳍的侧壁沉积高k栅极电介质层；在所述高k栅极电介质层上方沉积n型功函数金属层；执行钝化处理以通过所述n型功函数金属层将钝化物质注入到所述高k栅极电介质层，其中，所述钝化处理包括远程等离子体工艺，其中，所述钝化处理在所述高k栅极电介质层和所述n型功函数金属层中形成包括所述钝化物质的钝化区域，并且其中，所述钝化区域在所述半导体鳍的侧壁上的第一平均厚度与所述钝化区域在所述半导体鳍的顶表面上的第二平均厚度的比率在0.8：1至0.9：1的范围内；以及在所述n型功函数金属层上方沉积填充金属，以在所述高k栅极电介质层上方形成金属栅极堆叠，所述金属栅极堆叠包括所述n型功函数金属层和所述填充金属。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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