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龙图腾网恭喜美光科技公司申请的专利用于编程反熔丝以修复存储器装置的设备和技术获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112652349B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011049753.3，技术领域涉及：G11C29/00；该发明授权用于编程反熔丝以修复存储器装置的设备和技术是由S·A·艾克迈尔;P·穆拉基设计研发完成，并于2020-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于编程反熔丝以修复存储器装置的设备和技术在说明书摘要公布了：本申请案针对于用于编程反熔丝以修复存储器装置的设备和技术。一种设备可包含修复阵列，所述修复阵列包含用于替换存储器阵列中的有故障元件的元件，且所述设备可另外包含用于指示所述存储器阵列的哪些元件如果存在的话正被所述修复阵列内的元件替换的反熔丝阵列。所述反熔丝阵列可指示所述存储器阵列的正被所述修复阵列内的元件替换的元件的地址。所述反熔丝阵列可指示所述修复阵列内的所述元件的启用或停用，所述启用或停用指示是否启用所述修复阵列内的所述元件来替换所述存储器阵列的所述元件。所述反熔丝阵列可包含具有较低可靠性的反熔丝和具有较高可靠性的反熔丝。与所述修复阵列内的所述元件的所述启用相关联的反熔丝可包含具有所述较高可靠性的反熔丝。

本发明授权用于编程反熔丝以修复存储器装置的设备和技术在权利要求书中公布了：1.一种设备，其包括：存储器阵列，其用于存储与主机系统相关联的数据；修复阵列，其包括用于替换所述存储器阵列的有故障元件的元件；和反熔丝阵列，其包括多个块，所述多个块可操作以指示所述修复阵列的第一元件是否替换所述存储器阵列的第二元件，所述反熔丝阵列的每一块包括：第一反熔丝集，其具有较低可靠性，所述第一反熔丝集中的每一反熔丝处于第一配置中；第二反熔丝集，其具有较高可靠性，所述第二反熔丝集中的每一反熔丝处于可操作以与所述第一配置相比提供较高可靠性的第二配置中；第三反熔丝集，其用于指示所述存储器阵列的正被所述修复阵列的所述第一元件替换的所述第二元件的地址，所述第三反熔丝集中的至少一个反熔丝处于所述第一配置中且所述第三反熔丝集中的至少一个反熔丝处于所述第二配置中；和第四反熔丝集，其用于指示是否启用所述修复阵列的所述第一元件，所述第四反熔丝集中的至少一个反熔丝处于所述第二配置中。

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