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龙图腾网恭喜硅存储技术股份有限公司申请的专利形成具有存储器单元、高压器件和逻辑器件的设备的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114256251B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010993707.2，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权形成具有存储器单元、高压器件和逻辑器件的设备的方法是由王春明;宋国祥;邢精成;孙士祯;X·刘;N·多设计研发完成，并于2020-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本形成具有存储器单元、高压器件和逻辑器件的设备的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种在衬底上形成存储器单元、HV器件和逻辑器件的方法，该方法包括：使衬底的存储器单元区域和HV器件区域的上表面凹陷；在存储器单元区域和HV器件区域中形成多晶硅层；在存储器单元区域和HV器件区域中形成穿过第一多晶硅层并进入硅衬底的第一沟槽；用绝缘材料填充第一沟槽；形成到逻辑器件区域中的衬底中的第二沟槽以形成向上延伸的鳍片；移除存储器单元区域中的多晶硅层的部分以形成浮置栅极；在存储器单元区域中形成擦除栅极和字线栅极，在HV器件区域中形成HV栅极，以及在逻辑器件区域中形成来自第二多晶硅层的虚拟栅极；以及用缠绕在鳍片周围的金属栅极替换虚拟栅极。

本发明授权形成具有存储器单元、高压器件和逻辑器件的设备的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成设备的方法，所述方法包括：提供硅衬底，所述硅衬底带有上表面并且具有第一区域、第二区域和第三区域；在所述衬底的所述第一区域和所述第二区域中使所述上表面凹陷，但在所述衬底的所述第三区域中不使所述上表面凹陷；形成第一多晶硅层，所述第一多晶硅层位于所述第一区域和所述第二区域中的所述上表面上方并且与所述上表面绝缘；使用至少第一硅蚀刻形成第一沟槽，所述第一沟槽穿过所述第一多晶硅层并进入所述第一区域和所述第二区域中而不是所述第三区域中的所述硅衬底中；用绝缘材料填充所述第一沟槽；在所述第一沟槽的所述填充之后，使用至少第二硅蚀刻形成进入所述第三区域中的所述硅衬底中的第二沟槽，以形成所述硅衬底的向上延伸的鳍片，所述向上延伸的鳍片具有向上延伸并终止于顶表面处的一对侧表面；在所述鳍片的所述形成之后，在所述第一区域中的所述第一多晶硅层上方形成一对材料块，其中所述一对材料块由多晶硅或绝缘材料形成；移除所述第一区域中的所述第一多晶硅层的部分，以形成所述第一多晶硅层的一对浮置栅极，所述浮置栅极各自设置在所述一对材料块中的一个材料块下方；执行第一注入，以在所述一对浮置栅极之间形成所述第一区域中的所述硅衬底中的第一源极区；在所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域中的所述硅衬底上方形成第二多晶硅层；移除所述第二多晶硅层的部分，以形成：所述第二多晶硅层的第一多晶硅块，所述第一多晶硅块设置在所述第一区域中的所述第一源极区上方并且与所述第一源极区绝缘，所述第二多晶硅层的第二多晶硅块，所述第二多晶硅块设置在所述硅衬底上方并且与所述硅衬底绝缘，并且与所述第一区域中的所述一对浮置栅极中的一个浮置栅极相邻，所述第二多晶硅层的第三多晶硅块，所述第三多晶硅块设置在所述硅衬底上方并且与所述硅衬底绝缘，并且与所述第一区域中的所述一对浮置栅极中的另一个浮置栅极相邻，所述第二多晶硅层的第四多晶硅块，所述第四多晶硅块设置在所述第二区域中的所述硅衬底上方并且与所述硅衬底绝缘，和所述第二多晶硅层的第五多晶硅块，所述第五多晶硅块设置在所述第三区域中的所述鳍片的所述一对侧表面和所述顶表面上方并且与所述一对侧表面和所述顶表面绝缘；执行一次或多次注入，以形成：位于所述衬底的所述第一区域中的与所述第二多晶硅块相邻的第一漏极区，位于所述衬底的所述第一区域中的与所述第三多晶硅块相邻的第二漏极区，位于所述衬底的所述第二区域中的与所述第四多晶硅块相邻的第二源极区，位于所述衬底的所述第二区域中的与所述第四多晶硅块相邻的第三漏极区，位于所述鳍片中的与所述第五多晶硅块相邻的第三源极区，和位于所述鳍片中的与所述第五多晶硅块相邻的第四漏极区；移除所述第五多晶硅块；在所述第三区域中沿所述鳍片的所述一对侧表面和所述顶表面形成高K材料层；以及在所述第三区域中的所述高K材料层上形成金属材料块，使得所述金属块沿所述鳍片的所述一对侧表面和所述顶表面延伸并与所述一对侧表面和所述顶表面绝缘。

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