恭喜台湾积体电路制造股份有限公司陈信宇获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利光学准直器、半导体装置及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112687708B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010885422.7，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权光学准直器、半导体装置及其形成方法是由陈信宇;翁睿均;潘汉宗;张佑诚;黎俊朋;陈信桦;邱俊杰;刘彦江;许希丞;胡景翔;洪嘉骏;李佳烜;杜立扬;拉瓦亚·沙纳卡瓦拉普;吴威鼎;蒋季宏设计研发完成，并于2020-08-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本光学准直器、半导体装置及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开实施例公开光学准直器、半导体装置及其形成方法。在一实施例中，光学准直器包含：介电层；基底；以及多个通孔，其中介电层形成于基底上方，其中多个通孔被配置为沿介电层的第一表面的横向方向延伸的阵列，其中多个通孔的每一者在垂直方向从介电层的第一表面延伸通过介电层和基底至基底的第二表面，其中基底具有整体杂质掺杂浓度等于或大于1×1019cm‑3和第一厚度，且其中基底的整体杂质掺杂浓度和第一厚度被配置为允许光学准直器过滤一波长范围的光。
本发明授权光学准直器、半导体装置及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种光学准直器，包括：一介电层；一基底；以及多个通孔，其中该介电层形成于该基底上方，其中该多个通孔被配置为沿该介电层的一第一表面的一横向方向延伸的一阵列，其中该多个通孔的每一者在一垂直方向从该介电层的该第一表面延伸通过该介电层和该基底至该基底的一第二表面，其中该基底具有一整体杂质掺杂浓度等于或大于1×1019cm-3和一第一厚度，且其中该基底的该整体杂质掺杂浓度和该第一厚度被配置为允许该光学准直器过滤一波长范围的光，其中该基底的该第一厚度及该多个通孔的每一者的一直径大于该介电层的一第二厚度。
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