恭喜硅存储技术股份有限公司V·马克夫获国家专利权
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龙图腾网恭喜硅存储技术股份有限公司申请的专利通过筛选存储器单元改进模拟非易失性存储器中的读取电流稳定性的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114303198B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080060971.9，技术领域涉及：G11C29/04；该发明授权通过筛选存储器单元改进模拟非易失性存储器中的读取电流稳定性的方法是由V·马克夫;A·柯多夫设计研发完成，并于2020-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本通过筛选存储器单元改进模拟非易失性存储器中的读取电流稳定性的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种存储器设备，该存储器设备包括多个非易失性存储器单元和控制器。该控制器被配置为：对该多个存储器单元进行擦除，对该存储器单元中的每个存储器单元进行编程，针对该存储器单元中的每个存储器单元，在第一读取操作中测量施加到该存储器单元的与通过该存储器单元的目标电流对应的阈值电压，在第二读取操作中重新测量施加到该存储器单元的与通过该存储器单元的该目标电流对应的阈值电压，以及如果所测量的阈值电压与所重新测量的阈值电压之间的差值超过预定量，则将该存储器单元识别为有缺陷的。
本发明授权通过筛选存储器单元改进模拟非易失性存储器中的读取电流稳定性的方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器设备，包括：多个非易失性存储器单元；控制器，所述控制器被配置为：对所述多个存储器单元进行擦除，对所述存储器单元中的每个存储器单元进行编程，针对所述存储器单元中的每个存储器单元：在第一读取操作中测量施加到所述存储器单元的与通过所述存储器单元的目标电流对应的阈值电压，在第二读取操作中重新测量施加到所述存储器单元的与通过所述存储器单元的所述目标电流对应的阈值电压，如果所测量的阈值电压与所重新测量的阈值电压之间的差值超过预定量，则将所述存储器单元识别为有缺陷的，以及筛选出被识别为有缺陷的所述存储器单元以使得所述存储器单元不被用于存储数据。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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