恭喜东京毅力科创株式会社拉尔斯·利布曼获国家专利权
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龙图腾网恭喜东京毅力科创株式会社申请的专利用于埋式电源轨的CFET电力输送网络获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114631180B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080073454.5，技术领域涉及：H01L23/528；该发明授权用于埋式电源轨的CFET电力输送网络是由拉尔斯·利布曼;杰弗里·史密斯;丹尼尔·沙内穆加梅;安东·德维利耶设计研发完成，并于2020-08-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于埋式电源轨的CFET电力输送网络在说明书摘要公布了：一种半导体器件包括第一电源轨、第一电力输入结构、电路和第一中段轨。该第一电源轨形成在衬底上的第一隔离沟槽内的第一轨开口中。该第一电力输入结构被配置为与半导体器件外部的电源的第一端子连接以从该电源接收电力。该电路在衬底上由第一电源轨与第一电力输入结构之间的层形成。第一中段轨由形成该电路的这些层中的一层或多层形成。第一中段轨被配置为将来自第一电力输入结构的电力输送到第一电源轨，并且第一电源轨将电力提供给该电路以供操作。
本发明授权用于埋式电源轨的CFET电力输送网络在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：第一电源轨，该第一电源轨形成在衬底上的第一隔离沟槽内的第一轨开口中；第一电力输入结构，该第一电力输入结构被配置为与该半导体器件外部的电源的第一端子连接以从该电源接收电力；有源器件，该有源器件形成在该第一电源轨与该第一电力输入结构之间；以及第一中段轨，该第一中段轨由沿第一方向布置的多个层形成，该第一中段轨被配置为将来自该第一电力输入结构的电力输送到该第一电源轨，该第一电源轨将该电力提供给该有源器件以供操作，并且，在所述第一方向上，该第一中段轨的多个层中的最顶层的下表面高于且邻近所述有源器件的上表面，并且该第一中段轨的多个层中的最底层的下表面高于且邻近所述有源器件的下表面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人东京毅力科创株式会社，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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