恭喜晶化成半导体公司R·邦德克夫获国家专利权
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龙图腾网恭喜晶化成半导体公司申请的专利氮化铝晶体的扩径获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114667371B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080069543.2，技术领域涉及：C30B29/40；该发明授权氮化铝晶体的扩径是由R·邦德克夫;T·米巴赫;陈贱峰;铃木崇志;L·J·邵瓦尔特设计研发完成，并于2020-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本氮化铝晶体的扩径在说明书摘要公布了：在各种实施例中，氮化铝单晶在生长过程中快速扩径并且具有较大的晶体增强参数。氮化铝单晶可以具有较大的晶锭质量和体积。氮化铝单晶可以在增强的径向热梯度下从气相生长，实现较高的扩径率。
本发明授权氮化铝晶体的扩径在权利要求书中公布了：1.一种AlN单晶，其直径沿AlN单晶长度的至少一部分从50mm至100mm的最小直径增加到最大直径，所述AlN单晶以mm为单位的晶体增强参数大于100，晶体增强参数定义为： 其中AE，以mm2为单位，是AlN单晶最大直径处的横截面积；dE是AlN单晶的最大直径，以mm为单位；AS，以mm2为单位，是AlN单晶最小直径处的横截面积；dS是最小直径，以mm为单位；以及LE是AlN单晶至少一部分的扩展长度，以mm为单位，直径沿扩展长度从最小直径增加到最大直径。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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