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龙图腾网恭喜派恩杰半导体(浙江)有限公司申请的专利一种具有相同栅源掺杂的场效应晶体管、元胞结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111933698B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010725690.2，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权一种具有相同栅源掺杂的场效应晶体管、元胞结构是由黄兴;陈欣璐;陈然设计研发完成，并于2020-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有相同栅源掺杂的场效应晶体管、元胞结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有相同栅源掺杂的场效应晶体管、元胞结构，其中元胞结构包括：碳化硅衬底，该碳化硅衬底材料的掺杂类型为第一导电类型，在碳化硅衬底的正面和背面分别设有第一导电类型半导体外延层和第一电极；在第一导电类型半导体外延层上依次设置有第二导电类型悬浮区、第一导电类型栅极注入区、第一导电类型源极注入区，栅极注入区上设置有栅极，源极注入区上设置有源极，栅极注入区和源极注入区之间设置有极间介质，所述极间介质用于对栅极和源极进行隔离，其中所述第二导电类型悬浮区与第一导电类型源极注入区的接触部与第一导电类型源极注入区结构相同，且都设置为具有终端尖角。

本发明授权一种具有相同栅源掺杂的场效应晶体管、元胞结构在权利要求书中公布了：1.一种具有相同栅源掺杂的场效应晶体管元胞结构，其特征在于，包括：碳化硅衬底001，该碳化硅衬底材料的掺杂类型为第一导电类型，在碳化硅衬底001的正面和背面分别设有第一导电类型半导体外延层002和第一电极003；在第一导电类型半导体外延层002上依次设置有第二导电类型悬浮区005、第一导电类型栅极注入区006、第一导电类型源极注入区007，第一导电类型栅极注入区006上设置有栅极008，第一导电类型源极注入区上设置有源极009，第一导电类型栅极注入区006和第一导电类型源极注入区007之间设置有极间介质010，所述极间介质010用于对栅极008和源极009进行隔离，其中所述第二导电类型悬浮区005与第一导电类型源极注入区007的接触部与第一导电类型源极注入区007结构相同，且都设置为具有终端尖角，所述终端尖角为0～180度；元胞一侧的第一导电类型栅极注入区006与栅极008连接，元胞另一侧的第一导电类型栅极注入区006和第一导电类型源极注入区007共同连到源极009。

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