恭喜华邦电子股份有限公司江知优获国家专利权
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龙图腾网恭喜华邦电子股份有限公司申请的专利用于光刻工艺的识别方法与半导体元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113871290B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010611718.X，技术领域涉及：H01L21/027；该发明授权用于光刻工艺的识别方法与半导体元件是由江知优设计研发完成，并于2020-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于光刻工艺的识别方法与半导体元件在说明书摘要公布了：本发明提供一种用在光刻工艺的识别方法与半导体元件。所述方法包括在半导体衬底上形成掩膜层，再图案化所述掩膜层，以在所述元件区内形成密集线图案，并在元件区与周边区的界面区域形成假密集线图案，其中第一条与第三条假密集线图案之间设有至少一连接部，且第二条假密集线图案在连接部不连续并与连接部相隔开。在半导体衬底上形成覆盖周边区的光刻胶层，并根据光刻胶层的边缘至最接近的假密集线图案的距离以及连接部的宽度来判定所述光刻胶层的着陆位置是否正确。
本发明授权用于光刻工艺的识别方法与半导体元件在权利要求书中公布了：1.一种用于光刻工艺的识别方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上形成掩膜层，所述半导体衬底具有元件区与周边区；图案化所述掩膜层，以于所述元件区内形成数条密集线图案，并于所述元件区与所述周边区的界面区域形成数条假密集线图案，其中第一条所述假密集线图案与第三条所述假密集线图案之间设有至少一连接部，且第二条所述假密集线图案在所述至少一连接部不连续并与所述至少一连接部相隔开；在所述半导体衬底上形成覆盖所述周边区的光刻胶层；以及根据所述光刻胶层的边缘至最接近的所述假密集线图案的距离以及所述至少一连接部的宽度来判定所述光刻胶层的着陆位置是否正确。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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