恭喜同和电子科技有限公司门胁嘉孝获国家专利权
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龙图腾网恭喜同和电子科技有限公司申请的专利半导体光器件的制造方法和半导体光器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113994487B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080039758.X，技术领域涉及：H10H20/824；该发明授权半导体光器件的制造方法和半导体光器件是由门胁嘉孝;田中治设计研发完成，并于2020-06-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体光器件的制造方法和半导体光器件在说明书摘要公布了：提供一种半导体光器件的制造方法，其能够改善具备至少包含In、以及As和Sb的半导体层的半导体光器件的光器件特性。本发明的半导体光器件的制造方法具有如下工序：在InAs生长用基板上形成蚀刻阻挡层的第一工序；形成半导体层叠体的第二工序；形成配电部的第三工序；借助金属接合层而与支承基板接合的第四工序；以及，去除InAs生长用基板的第五工序。
本发明授权半导体光器件的制造方法和半导体光器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体光器件的制造方法，其特征在于，具有如下工序：第一工序，在InAs生长用基板上形成蚀刻阻挡层，所述蚀刻阻挡层由至少包含Ga和Sb的GaAsSb系III-V族化合物半导体形成；第二工序，在所述蚀刻阻挡层上形成半导体层叠体，所述半导体层叠体层叠有多个由至少包含In和As的InAsSbP系III-V族化合物半导体形成的层；第三工序，在所述半导体层叠体上形成配电部，所述配电部具备具有贯通孔的透明绝缘层和设置于所述贯通孔的欧姆电极部；第四工序，至少借助金属接合层将所述半导体层叠体和所述配电部与支承基板接合；以及第五工序，去除所述InAs生长用基板，所述去除后，露出所述蚀刻阻挡层，所述半导体层叠体中的至少一个所述层的InAsSbP系III-V族化合物半导体至少包含In、以及As和Sb。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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