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龙图腾网恭喜旺宏电子股份有限公司申请的专利多栅极晶体管及应用其的存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113206141B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010472715.2，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权多栅极晶体管及应用其的存储器装置是由宋政霖;杜姵莹;吕函庭设计研发完成，并于2020-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本多栅极晶体管及应用其的存储器装置在说明书摘要公布了：本发明公开了多栅极晶体管及应用其的存储器装置，该多栅极晶体管包括：一掺杂漏极区；一掺杂源极区；一栅极群组，包括一第一栅极与一第二栅极；一通道，该掺杂漏极区与该掺杂源极区位于该通道的两侧；以及一中间层，形成于该通道与该栅极群组之间。其中，对该栅极群组的该第一栅极与该第二栅极分别施加一第一栅极电压与一第二栅极电压后，该通道被感应出至少一P子通道与至少一N子通道，且该多栅极晶体管等效于具有一正负正负PNPN结构。

本发明授权多栅极晶体管及应用其的存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，包括：一存储器阵列，包括多个存储器单元、多条字线与多条位线；一数据传送电路，耦接至该存储器阵列；一整合发放电路，耦接至该数据传送电路，该数据传送电路将该存储器阵列的这些单元的多个运算结果送至该整合发放电路，该整合发放电路根据该存储器阵列的这些单元的这些运算结果产生多个脉冲，其中，这些脉冲的一数量代表这些单元的这些运算结果；以及一控制电路，耦接至该整合发放电路与该存储器阵列，该控制电路根据该整合发放电路所产生的这些脉冲来发出一控制信号给该整合发放电路与该存储器阵列，其中，该整合发放电路包括一多栅极晶体管，该多栅极晶体管包括：一掺杂漏极区；一掺杂源极区；一栅极群组，包括一第一栅极、一第二栅极与一第三栅极；一通道，该掺杂漏极区与该掺杂源极区位于该通道的两侧；以及一中间层，形成于该通道与该栅极群组之间，其中，对该栅极群组的该第一栅极、该第二栅极与该第三栅极分别施加一栅极电压后，该通道被感应出三个子通道，如果该栅极电压小于阈值电压，则将在该栅极下方的该通道感应出一P子通道，如果栅极电压大于阈值电压，则将在该栅极下方的该通道感应出一N子通道，且该多栅极晶体管等效于具有一正负正负结构。

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