恭喜三菱化学株式会社江夏悠贵获国家专利权
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龙图腾网恭喜三菱化学株式会社申请的专利GaN基板晶片及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113906170B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080040339.8，技术领域涉及：C30B29/40；该发明授权GaN基板晶片及其制造方法是由江夏悠贵;矶宪司设计研发完成，并于2020-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本GaN基板晶片及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供可优选用于具有卧式器件结构的氮化物半导体器件的制造、具有得到了改善的生产性的GaN基板晶片。该GaN基板晶片为发生了0001取向的GaN基板晶片，其夹着再生长界面具有设置于N极性侧的第一区域、和设置于Ga极性侧的具有最小厚度的第二区域，其中，该第二区域的最小厚度为20μm以上，在该第二区域的至少一部分中，补偿杂质的总浓度为1×1017atomscm3以上。
本发明授权GaN基板晶片及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种GaN基板晶片，其是发生了0001取向的GaN基板晶片，该GaN基板晶片夹着再生长界面具有设置于N极性侧的第一区域、和设置于Ga极性侧的具有最小厚度的第二区域，其中，该第一区域中，补偿杂质的总浓度小于1×1017atomscm3，该第二区域的最小厚度为20μm以上，该第二区域的最小厚度为350μm以下，在该第二区域的至少一部分中，补偿杂质的总浓度为1×1017atomscm3以上，所述Ga极性侧的主面为平坦面，该GaN基板晶片满足选自以下1～3中的任意条件，1具有50mm以上且55mm以下的直径和250μm以上且450μm以下的厚度，2具有100mm以上且105mm以下的直径和350μm以上且750μm以下的厚度，3具有150mm以上且155mm以下的直径和450μm以上且800μm以下的厚度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三菱化学株式会社，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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