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恭喜王振志;何立玮获国家专利权

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龙图腾网恭喜王振志;何立玮申请的专利动态随机存取存储器元件及其制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN111863814B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010120377.6,技术领域涉及:H10B12/00;该发明授权动态随机存取存储器元件及其制造方法是由王振志;何立玮设计研发完成,并于2020-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。

动态随机存取存储器元件及其制造方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种动态随机存取存储器元件包含形成于半导体基材上的多条位线、多条第一隔离带、多条第二隔离带、形成于该等第一隔离带与该等第二隔离带之间的多个晶体管、多条字线以及形成于该等第一隔离带与该等第二隔离带上方的多个电容器。半导体基材定义纵向方向、横向方向、多个沿该纵向方向的列以及多个沿横向方向的行。该等第一隔离带与该等第二隔离带沿纵向方向延伸。每一个晶体管对应该等列中的一个列与该等行中的一个行。位于每一条第一隔离带的一侧的该等晶体管与位于该条第一隔离带的另一侧的该等晶体管交错排列。

本发明授权动态随机存取存储器元件及其制造方法在权利要求书中公布了:1.一种动态随机存取存储器元件,其特征在于,包含:半导体基材,定义一纵向方向、一横向方向、一法向方向、沿所述纵向方向的多个列以及沿所述横向方向的多个行;多条位线,形成于所述半导体基材上,每一条位线对应所述多个行中的一个行并且沿其对应的行延伸;多条第一隔离带,形成于所述多条位线上并且沿所述纵向方向延伸,每一条第一隔离带具有一个别的第一纵向边缘以及一个别的第二纵向边缘;多条第二隔离带,形成于所述多条位线上并且沿所述纵向方向延伸,每一条第二隔离带具有一个别的第三纵向边缘以及一个别的第四纵向边缘,所述多条第一隔离带以及所述多条第二隔离带交替排列;多条堆叠带,由形成于所述多条位线上的第一半导体层、形成于所述第一半导体层上的第一绝缘层以及形成于所述第一绝缘层上的第二半导体层所构成,每一条堆叠带对应所述多条第一隔离带中的一条第一隔离带与所述多条第二隔离带中的一条第二隔离带,且位于其对应的第一隔离带与其对应的第二隔离带之间,每一条堆叠带具有多个凹陷,其中所述多个凹陷面向其对应的第二隔离带的所述第三纵向边缘或所述第四纵向边缘,位于每一条第一隔离带的一侧的所述凹陷与位于所述第一隔离带的另一侧的所述凹陷交错排列,每一个凹陷对应所述多个列中的一个列与所述多个行中的一个行;多个晶体管,每一个晶体管对应所述凹陷中的一个凹陷并且包含由一半导体材料形成的一个别的柱体,每一个柱体配合其对应的凹陷且沿所述横向方向延伸,每一个柱体具有一个别的平行所述法向方向的基础侧面、一个别的与所述基础侧面相对的锥形侧面、一个别的垂直所述法向方向的第一顶面、一个别的与所述第一顶面相对的底面、一个别的相邻所述基础侧面与所述锥形侧面的前侧面以及一个别的与所述前侧面相对的后侧面,在每一个柱体中,一个别的第一细长部分夹在所述第一顶面、所述基础侧面、所述前侧面以及所述后侧面之间形成一个别的源极区域,一个别的第二细长部分夹在所述底面、所述基础侧面、所述前侧面以及所述后侧面之间形成一个别的漏极区域,一个别的板状部分位于所述基础侧面上且位于所述第一细长部分与所述第二细长部分之间形成一个别的通道区域,所述柱体中除过源级区、漏极区和通道区以外的区域形成一个别的本体区域,每一个晶体管并且包含一个别的被覆其对应的由所述半导体材料形成的所述柱体的所述基础侧面的介电层、一个别的被覆所述介电层的栅极导体、一个别的第一子位线以及一个别的第二子位线,所述个别的第一子位线形成于所述第一半导体层处且连接于所述漏极区域与对应所述晶体管的所述位线之间,所述个别的第二子位线形成于所述第二半导体层处且连接所述源极区域;多条字线,每一条字线对应所述多个列中的一个列并且连接沿着其对应的列排列的所述栅极导体;第二绝缘层,形成于所述第二半导体层、所述多条第一隔离带以及所述多条第二隔离带上;多个转接通孔接触,每一个转接通孔接触对应多条第二子位线中的一个第二子位线并且形成以贯穿所述第二绝缘层进而连接其对应的第二子位线;第三绝缘层,形成于所述第二绝缘层以及所述多个转接通孔接触上;以及多个电容器,每一个电容器对应所述多个转接通孔接触中的一个转接通孔接触并且形成以贯穿所述第三绝缘层进而连接其对应的转接通孔接触。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人王振志;何立玮,其通讯地址为:中国台湾台北市文山区木新路三段189巷4号3楼;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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