恭喜应用材料公司柯蒂斯·莱施克斯获国家专利权
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龙图腾网恭喜应用材料公司申请的专利在热氧化物品质的低温生长厚氧化物膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113557589B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080020204.5，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权在热氧化物品质的低温生长厚氧化物膜的方法是由柯蒂斯·莱施克斯;约翰内斯·F·斯温伯格;本杰明·科伦坡;史蒂文·韦尔韦贝克设计研发完成，并于2020-02-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本在热氧化物品质的低温生长厚氧化物膜的方法在说明书摘要公布了：于此描述的实施方案大体涉及在半导体基板上形成低k介电材料的方法。更具体地，于此描述的实施方案涉及在高压和低温下形成氧化硅膜的方法。形成氧化硅膜的方法包括以下步骤：将其上形成有含硅膜的基板装载到高压容器的处理区域中。方法进一步包括以下步骤：在含硅膜上形成氧化硅膜。在含硅膜上形成氧化硅膜的步骤包括以下步骤：将含硅膜在大于约1bar的压力下暴露于包括胺添加剂的氧化介质，并将高压容器保持在约100摄氏度和约550摄氏度之间的温度下。
本发明授权在热氧化物品质的低温生长厚氧化物膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成氧化硅膜的方法，包括以下步骤：将其上沉积有含硅膜的基板装载到高压容器的处理区域中，所述含硅膜包括硅或氮化硅；和在所述含硅膜上形成氧化硅膜，包括以下步骤：将所述含硅膜在大于1bar的压力下暴露于包括添加剂的氧化介质，所述添加剂包括铵或氨，其中所述氧化介质包括1,000ppm至20,000ppm的所述添加剂；和将所述高压容器保持在100摄氏度和550摄氏度之间的温度下。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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