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龙图腾网恭喜富士电机株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111341772B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911016093.6，技术领域涉及：H10D84/60；该发明授权半导体装置是由白川彻设计研发完成，并于2019-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体装置，能够针对导通时的集电极‑发射极间电流改善didt控制性，并能够抑制振荡。半导体装置20是沟槽栅结构的IGBT，在p‑型基区32的正下方具有积累区33，并作为构成沟槽栅结构的沟槽36而具有栅极沟槽36a和虚设沟槽36b。配置沟槽36的间隔台面宽度w1为0.7μm～2μm。在栅极沟槽36a的内部隔着第一栅极绝缘膜37a设置有栅极电位的第一栅极电极38a。在虚设沟槽36b的内部隔着第二栅极绝缘膜37b设置有发射极电位的第二栅极电极38b。栅极沟槽36a的数量相对于沟槽36的总数的比率为60％以上且84％以下。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具备：第一导电型的第一半导体区，设置于半导体基板的内部；第二导电型的第二半导体区，设置于所述半导体基板的内部的、比所述第一半导体区更靠所述半导体基板的正面侧的位置；第一导电型的第三半导体区，以与所述第二半导体区接触的方式设置于所述第一半导体区的内部，且杂质浓度比所述第一半导体区高；第一导电型的第四半导体区，选择性地设置于所述第二半导体区的内部；第二导电型的第五半导体区，以与所述第一半导体区接触的方式设置于所述半导体基板的内部的、比所述第一半导体区更靠所述半导体基板的背面侧的位置；第一导电型的缓冲区，设置于所述半导体基板的背面侧；沟槽，与所述第四半导体区和所述第二半导体区接触而到达所述第一半导体区；第一电极，隔着绝缘膜设置于所述沟槽的内部；第二电极，与所述第二半导体区和所述第四半导体区电连接；以及第三电极，与所述第五半导体区电连接，所述沟槽以预定的间隔配置有多个，所述沟槽包括栅极沟槽和虚设沟槽，所述第一电极包括栅极电位的栅极电极和与所述第二电极电连接的虚设栅极电极，所述栅极沟槽在内部具有所述栅极电极，所述虚设沟槽在内部具有所述虚设栅极电极，所述预定的间隔为0.7μm~2μm，所述栅极沟槽的数量相对于所述沟槽的总数的比率为60%以上且84%以下，所述栅极沟槽的数量相对于所述沟槽的总数的比率能够随着将所述缓冲区、所述第一半导体区和第三半导体区依次层叠而成的区域的厚度变厚而增大。

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