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龙图腾网恭喜华引芯(张家港)半导体有限公司;华引芯(武汉)科技有限公司申请的专利一种倒装LED芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119698148B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510218257.2，技术领域涉及：H10H20/841；该发明授权一种倒装LED芯片及其制备方法是由史洁;刘芳;孙雷蒙设计研发完成，并于2025-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种倒装LED芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种倒装LED芯片及其制备方法，制备方法包括：在图形化的外延层上形成图形化的剥离层；在图形化的剥离层上形成图形化的界面改善层，其中，图形化的界面改善层包括多个界面改善块，在界面改善层远离剥离层的方向上，界面改善块的截面宽度逐渐增大；在图形化的外延层和图形化的界面改善层上形成反射层，其中，图形化的界面改善层上的反射层与图形化的外延层上的反射层间隔设置，反射层为布拉格反射器；对图形化的剥离层进行腐蚀处理，以使图形化的界面改善层连同图形化的界面改善层上的反射层，从图形化的外延层上剥离。本申请提供的倒装LED芯片的制备方法成本低廉，反射层的反射效果好，倒装LED芯片的发光性能和稳定性佳。

本发明授权一种倒装LED芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，所述倒装LED芯片的制备方法包括：在图形化的外延层上形成图形化的剥离层；在所述图形化的剥离层上形成图形化的界面改善层，其中，所述图形化的界面改善层包括多个界面改善块，在所述界面改善层远离所述剥离层的方向上，所述界面改善块的截面宽度逐渐增大；在所述图形化的外延层和所述图形化的界面改善层上形成反射层，其中，所述图形化的界面改善层上的反射层，与所述图形化的外延层上的反射层间隔设置，所述反射层为布拉格反射器；对所述图形化的剥离层进行腐蚀处理，以使所述图形化的界面改善层连同所述图形化的界面改善层上的反射层，从所述图形化的外延层上剥离；其中，所述在所述图形化的外延层和所述图形化的界面改善层上形成反射层的步骤中，所述图形化的外延层上的反射层具有多个开口，所述图形化的剥离层设置在所述多个开口内，其中，在所述界面改善层远离所述剥离层的方向上，所述开口的截面宽度逐渐增大。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华引芯(张家港)半导体有限公司;华引芯(武汉)科技有限公司，其通讯地址为：215600 江苏省苏州市张家港经济技术开发区福新路1202号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。