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龙图腾网恭喜北京智芯微电子科技有限公司申请的专利磁通门电流传感芯片及制造方法、应用方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119643950B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510164418.4，技术领域涉及：G01R19/00；该发明授权磁通门电流传感芯片及制造方法、应用方法是由刘紫威;李腾浩;杜君;方东明;孙恒超;臧志成;姜帅;李佩笑;王志强;王蔓蓉;李岩;周娴姊;季润可;陶毅设计研发完成，并于2025-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本磁通门电流传感芯片及制造方法、应用方法在说明书摘要公布了：本发明涉及传感器技术领域，提供一种磁通门电流传感芯片及制造方法、应用方法。所述磁通门电流传感芯片包括：第一敏感单元、第二敏感单元以及第一敏感单元与第二敏感单元之间的导体通道，每个敏感单元包括磁芯和线圈，线圈包括激励线圈和感应线圈，激励线圈和感应线圈缠绕在磁芯上，感应线圈缠绕的磁芯的轴作为敏感单元的敏感轴；第一敏感单元和第二敏感单元通过感应导体通道的上表面附近的磁场和下表面附近的磁场，实现对待测电流的检测。本发明采用两个敏感单元及之间的导体通道构成差分检测结构，无需使用聚磁环结构，实现电流传感器的芯片化，检测精度高，抗干扰能力强，可实现开环闭环电流检测，能够满足多种应用场景的电流检测需求。

本发明授权磁通门电流传感芯片及制造方法、应用方法在权利要求书中公布了：1.一种磁通门电流传感芯片的制造方法，其特征在于，所述磁通门电流传感芯片包括：第一敏感单元、第二敏感单元以及第一敏感单元与第二敏感单元之间的至少一个导体通道，第一敏感单元位于导体通道的上表面，第二敏感单元位于导体通道的下表面，第一敏感单元和第二敏感单元均包括磁芯和线圈，线圈包括激励线圈和感应线圈，激励线圈和感应线圈缠绕在磁芯上，第一敏感单元和第二敏感单元构成差分检测结构；所述磁通门电流传感芯片的制造方法包括：准备两组晶圆，每一组晶圆包括两片晶圆；对于每一组晶圆中的两片晶圆，在第一片晶圆的一个表面刻蚀出线圈槽，在第二片晶圆的第一个表面刻蚀出磁芯槽，在第二片晶圆的第二个表面刻蚀出线圈槽；在一组晶圆中的其中一片晶圆上形成对应导体通道的半腔体结构，在另一组晶圆中的其中一片晶圆上形成对应导体通道的半腔体结构；对于每一组晶圆，将预制的磁芯放置在第二片晶圆的磁芯槽中；对于每一组晶圆，将该组晶圆中的第一片晶圆与第二片晶圆进行结合，形成缠绕在磁芯上的闭合的线圈槽；将两组晶圆进行结合，使得两组晶圆中的对应导体通道的半腔体结构形成为一个对应导体通道的整体腔体结构；在每一组晶圆中的闭合的线圈槽中填充线圈材料，形成缠绕在磁芯上的闭合线圈，得到作为敏感单元的两组晶圆；在两组晶圆之间的对应导体通道的整体腔体结构中填充导体材料，形成两组晶圆之间的导体通道，作为敏感单元的两组晶圆与两组晶圆之间的导体通道构成一组磁通门电流传感芯片。

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