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龙图腾网恭喜晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种MTP器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119629999B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510148801.0，技术领域涉及：H10B43/30；该发明授权一种MTP器件及其制备方法是由康绍磊;丁帅;丁梦茜设计研发完成，并于2025-02-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MTP器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种MTP器件及其制备方法，本发明通过传统MTP器件中由衬底、栅氧层和浮栅构成的MOS电容替换为浮栅、绝缘层和导电插塞构成位于衬底上电容，以通过浮栅和导电插塞之间的电容耦合来控制浮栅的电位，从而完成在浮栅晶体管区域的编程和擦除操作，本发明的MTP器件中电容与衬底完全隔离，在进行编程和擦除操作时，不会受到衬底电位的影响，进而有效扩展了MTP器件的操作范围，即提高了MTP器件的编程效率和擦除效率，同时在较小的面积里实现较高的电容耦合效率，有利于缩小了芯片面积。

本发明授权一种MTP器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种MTP器件，其特征在于，包括形成于衬底的浮栅晶体管、选择晶体管和电容，所述衬底中设置有凹槽，所述浮栅晶体管的浮栅作为所述电容的下电极，所述电容还包括绝缘层和导电插塞，所述浮栅的一部分覆盖所述凹槽的内壁，所述绝缘层覆盖所述凹槽内的浮栅，所述导电插塞从所述绝缘层内侧填充所述凹槽；其中，所述衬底包括基底，所述基底具有有源区，在所述有源区的基底中设置有第一阱区和第二阱区，所述第一阱区位于所述第二阱区下方，且第一阱区和第二阱区接触设置，所述第一阱区设置在所述基底中；在所述第二阱区中设置有第一浅沟槽隔离结构和第二浅沟槽隔离结构，所述第一浅沟槽隔离结构围设在所述第二阱区的周围，所述第二浅沟槽隔离结构间隔设置在所述第一浅沟槽隔离结构的内侧，所述第一浅沟槽隔离结构和第二浅沟槽隔离结构将所述有源区的基底分隔为第一区域和第二区域。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。