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龙图腾网恭喜深圳天狼芯半导体有限公司申请的专利改善关断损耗的IGBT及其制备方法、芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119584614B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510136790.4，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权改善关断损耗的IGBT及其制备方法、芯片是由原一帆设计研发完成，并于2025-02-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本改善关断损耗的IGBT及其制备方法、芯片在说明书摘要公布了：本申请属于功率器件技术领域，提供了一种改善关断损耗的IGBT及其制备方法、芯片，通过设置载流子存储层为阶梯形结构，载流子存储层的底部覆盖N型漂移区，P型基区形成于载流子存储层的第一级阶梯上，N型发射掺杂区和P型发射掺杂区形成于L形结构的P型基区的水平部上，N型掺杂区形成于载流子存储层的顶部阶梯的凹槽内，栅极介质层形成于载流子存储层的顶部阶梯上，栅极介质层包裹栅极多晶硅层且栅极多晶硅层与N型掺杂区相对，P型阱区形成于载流子存储层的顶部阶梯上且与栅极介质层并列，从而通过减小栅极面积，改变集电极与发射极之间的电容，并且增加额外的电流抽取通道，进一步减小器件的关断损耗。

本发明授权改善关断损耗的IGBT及其制备方法、芯片在权利要求书中公布了：1.一种改善关断损耗的IGBT，其特征在于，包括：P型衬底、N型缓冲层，所述N型缓冲层形成于所述P型衬底的正面；N型漂移区，所述N型漂移区形成于所述N型缓冲层上；载流子存储层，形成于所述N型漂移区上，所述载流子存储层为阶梯形结构，所述载流子存储层的底部覆盖所述N型漂移区；P型基区，形成于所述载流子存储层的第一级阶梯上，且所述P型基区呈L形结构；N型发射掺杂区和P型发射掺杂区，形成于L形结构的所述P型基区的水平部上，且通过所述P型基区的竖直部与所述载流子存储层隔离；N型掺杂区，形成于所述载流子存储层的顶部阶梯的凹槽内；栅极介质层和栅极多晶硅层，所述栅极介质层形成于所述载流子存储层的顶部阶梯上，所述栅极介质层包裹所述栅极多晶硅层，且所述栅极多晶硅层与所述N型掺杂区相对；P型阱区，形成于所述载流子存储层的顶部阶梯上，且与所述栅极介质层的第一侧接触；发射极，与所述N型发射掺杂区和所述P型发射掺杂区接触，且与所述栅极介质层的第二侧接触；集电极，形成于所述P型衬底的背面；所述P型阱区与所述栅极介质层的界面为梯形界面，所述P型阱区为宽度在所述集电极向所述发射极的方向上逐渐增大的阶梯结构。

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